法国洛林大学的研究人员发现,由钴(Co)和镍(Ni)制成的多层薄膜对STT-MRAM应用具有很大的希望。
用于自旋电子学的多层钴和镍薄膜
之前已经证明,Co / Ni多层膜对于自旋电子学应用具有非常好的性能,但到目前为止尚不清楚这些膜是否具有足够大的固有自旋极化,这对于产生和保持自旋极化电流是必要的。 自旋电子设备。 现在已经表明,薄膜具有约90%的自旋极化 - 这与最好的自旋电子材料相似。
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