自从今年7月14日国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片发布以来，氮化镓再次站上风口，国内相关企业也随之成为人们关注的焦点，A股上市公司三安光电（600703）近年来不断布局氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等产品陆续出货，正式宣告跨界氮化镓领域。

跨界半导体领域

一直深耕于LED行业的三安光电，在2014年5月延伸其Ⅲ-Ⅴ族化合物（LED用砷化镓及氮化镓芯片）的生产经验，涉足化合物晶圆制造的代工服务。在2015年起全面布局化合物半导体，试图成为化合物半导体制造领军者。

三安光电2014年5月设立厦门三安集成并实施建设30万片/年砷化镓（GaAs）和6万片/年氮化镓（GaN）外延片生产线。直至2015年10月，三安集成电路开始实施试生产。

时至今日，经过近5年的持续努力，三安光电研发的III-V族化合物半导体材料的应用领域成功从原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领域，基本涵盖了今后Ⅲ-V族化合物半导体材料应用的重要领域。此举或将为三安光电提供新的营收增长点，进一步扩大公司体量。

三安光电之所以能达成上述目标，与其持续稳定的研发投入和对研发团队高度重视密不可分。仅2019年，三安光电研发费用就同比增加36.44%达到1.97亿元，其研发人员数量为2099人，占公司总人数的17.33%，同比增长347人，公司砷化镓出货客户累计超过90家。三安集成当年实现收入2.41亿元，同比增长40.67%，2020第一季度实现收入1.66亿元，营收能力得到市场验证。

氮化镓应用广泛

三安光电新介入的氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体，具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点，是5G产业中的关键材料。GaN的禁带宽度是Si的3倍，击穿电厂是Si的10倍，因而在电力电子领域用于替代Si作为化合物半导体器件。同时，GaN拥有更高效率、更大带宽、更高功率，可以输出更高的频率，因而广泛应用于射频领域。

根据Yole调查，射频GaN市场将从2018年的6.45亿美元增长至2024年的20.01亿美元，复合增速为21%。就目前应用情况来看，射频GaN已成功应用于众多领域，包括但不限于基站、雷达和航空中，对LDMOS形成较强替代感知。

据Yole统计，2018年全球3W以上GaN射频器件（不含手机PA）市场规模达到4.57亿美元，在射频器件市场（包含SiLDMOS、GaAs和GaN）的渗透率超过25%，同比提升5%。未来5至10年，GaN有望取代LDMOS，成为3W以上的射频功率应用主流技术。

根据CASA预估，全球移动通信基站射频功率器件市场规模约10亿美元，国内中兴、华为、大唐总需求约3至4亿美元，GaN渗透率目前约8至12%。空间巨大且正在快速渗透，相关公司有望迎来业绩增长期。

（来源：览富财经网的财富号 2020-08-19 16:49） [点击查看原文]