半导体产业网获悉：近日，第三代半导体功率器件制造厂商安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进”）发生工商变更，新增东风汽车旗下信之风（武汉）股权投资基金合伙企业（有限合伙）、安徽省皖能海通双碳产业并购投资基金合伙企业（有限合伙）等多位股东。同时，长飞先进的注册资本由约1.50亿元增至约2.92亿元。

资料显示，长飞先进成立于2018年，是一个专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力

长飞先进可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。我们致力于提供高品质的服务，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。

在今年6月28日，长飞先进正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最，并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。

长飞先进本次A轮融资新增投资方包括光谷金控、富浙、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金（中金上汽、中金瑞为、中金知行、中金启合）、海通并购基金、国元金控集团旗下基金（国元股权、国元基金、国元创新）、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等。

一代材料一代应用，SiC自身的材料特性决定了其在高压高功率领域具有独特优势，SiC功率器件相对Si基器件效率更高、尺寸更小，在新能源汽车、光伏、储能等领域快速渗透，有助于“双碳”目标的实现，也是高速成长的蓝海市场。

碳化硅作为第三代半导体的重要代表细分领域之一，未来在新能源汽车等行业具有广阔且高成长性的发展应用潜力。长飞先进称，将锚定公司战略持续加强产品研发、提升制造工艺、扩充产能规模、强化客户开发、优化人才团队，不断夯实行业领先地位。

同时，长飞先进表示，已启动位于“武汉·中国光谷”的第二基地建设，项目一期投资规模超60亿元，项目总投资预计超过200亿元。项目一期将于2025年建设完成，届时将成为国内碳化硅产能最大(年产36万片碳化硅晶圆)、封装产线齐全、以及包含外延生长和前沿创新中心的一体化新高地。