半导体产业网获悉：6月9日，三安光电(600703.SH)在投资者互动平台表示，公司主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司将持续围绕战略发展规划开展业务，提升LED高端产品结构占比，快速推进集成电路业务的发展，确保公司销售体量快速增长，优化生产工艺，降低生产成本，提高产品市场占有率，提升公司盈利能力。

并介绍，碳化硅生产具有较高的技术壁垒，公司经过多年发展沉淀，在化合物半导体领域积累技术研发、人才、市场等优势。目前碳化硅从衬底到芯片制程都比较难。全资子公司湖南三安为国内为数不多的碳化硅垂直产业链制造平台，涉及长晶、衬底制作、外延生长、芯片制备、封装多个环节，各环节业务顺利推进。

湖南三安——碳化硅全链整合超级工厂

湖南三安碳化硅产能持续爬坡，截至2022年年末已达12,000片/月，已签署的碳化硅长期采购协议总金额超70亿元，另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。

并透露，公司的光技术业务可为客户提供各种速率的光芯片，其中包括高速芯片；公司有400G光引擎业务，可对模块厂商提供产品；公司光芯片产品卖给封装厂，封装厂再将产品卖给成品企业。

关于MiniLED业务，三安光电表示，目前公司作为全球范围内具备MiniLED芯片稳定量产能力的企业，公司MiniLED产品现主要用于电视、显示器、笔记本电脑、车显、VR等领域，与下游主要应用客户均有业务对接，公司与国际客户的合作持续推进。国内客户不仅大力推广Mini背光解决方案在电视、笔记本等产品上的应用，而且RGB直显方案也在快速渗透，届时MiniLED客户群基数将会递增。随着终端产品密集发布，解决方案应用范围的扩宽和产品的加速渗透，MiniLED市场需求将加速放量，进而带动公司产能持续释放，公司高端产品占比将会进一步提高。相关情况请关注公司披露的定期报告。

值得关注的是，6月7日，意法半导体在官网宣布，将同三安光电在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。

同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

该合资厂将采用ST的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。

该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元，其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括来自意法半导体和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。

备注：以上信息由公开资料汇总，仅供参考！