半导体产业网消息：2022年4月，恒普科技推出SIC感应晶体生长炉的新一代技术平台，突破SiC行业晶体长不快、长不厚，长不大的三大缺点，解决行业核心需求。

随着电动汽车的碳化硅车型的陆续密集推出，带动当下SiC器件需求的井喷。在未来一段时间内SiC衬底的供应依然无法满足市场的需求。

而当下国内主流的SiC晶体生长速度在0.1~0.2mm/h,晶体厚度在15~25mm,晶体尺寸从4英寸全面向6英寸切换。国际上主流的SiC晶体生长的速度在0.2~0.3mm/h，晶体的厚度30~40mm，晶体尺寸由6英寸转向8英寸。

无论是技术追赶，还是市场需求，在晶体质量（缺陷等）保证的前提下，把SIC晶体长快、长厚、长大，都是行业急迫需要解决的核心需求。

在这个背景下，恒普科技推出新一代感应发热技术平台，并以新技术平台为基础，推出了2款感应式SiC晶体生长炉，解决SiC晶体长不快、长不厚、长不大的缺点。

新感应晶体生长平台特点（部分）：

1、全尺寸

同时推出6英寸、8英寸的2款炉型，满足行业晶体尺寸加大的需求。

2、无籽晶托或超薄籽晶托

自由热膨胀，利于应力的释放，减少由应力产生的缺陷。

料区与籽晶区，更灵活的温度梯度调节。

3、固定式水平线圈

无需调节线圈的轴向移动，减少工艺变量，提高工艺稳定性。

对籽晶区的温场做到更精细的调整，使温度更均衡。

4、新热场

装入更多原料，且利用率高。

料区温度分布对长晶影响的敏感度下降。

增加了蒸发面积，可在超低压力下生长。

传质效率提高且稳定，降低再结晶影响（避免二次传质）。

减少边缘缺陷的扩径技术。

生长后期，降低碳包裹物的影响。

5、先进技术

新炉型标准配置了，温度闭环控制与高精度压力控制等先进技术。

a.温度闭环控制

SiC晶体在2000℃以上的高温下生长，对温度的稳定性要求极高，但由于SiC粉料挥发等原因，无法做到温度控制，而是采用功率控制（或温度控制+功率控制组合），恒普科技的新技术就解决了这个痛点。

b.高精度压力控制

SiC晶体生长炉在晶体生长时，通常压力控制的波动在3Pa,恒普科技的新技术可以将压力控制在0.3Pa，提高了一个数量级。

宁波恒普真空科技股份有限公司 是一家以材料研究为基础，以高温热场环境控制为技术核心的金属注射成形（MIM）领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商，主要从事金属注射成形（MIM）脱脂烧结炉、碳化硅晶体生长炉、碳化硅同质外延设备等热工装备的研发、生产和销售。