公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。截至2020年1月19日,公司拥有97项专利,其中发明专利35项,发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列;公司拥有的该等专利与MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关,对公司核心技术形成了专利保护,对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外,公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇,不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平,缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距,拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。

核心竞争力：产品系列优势

公司主要产品为沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半导体功率器件,已拥有覆盖12V~1350V电压范围、0.1A~350A电流范围的多系列细分型号产品,是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全的设计企业之一。公司通过构建主要产品工艺技术平台,衍生开发细分型号产品,并持续升级产品工艺平台,形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式,从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生,满足下游多个领域的需求,最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前,公司已拥有1,000余种细分型号产品,能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。基于国际先进的超低能耗电荷平衡理论技术,公司研发的主要产品紧跟国际一线品牌,且拥有全部自主知识产权。公司600V-1350V的沟槽型场截止IGBT、500V-900V的第三代超结功率MOSFET、30V-300V的屏蔽栅功率MOSFET、12V-250V的沟槽型功率MOSFET均已实现量产及系列化。未来,公司将进一步优化产品性能,挖掘客户的需求,丰富产品系列型号,保持公司在产品系列方面的竞争优势。

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