神工股份:锦州神工半导体股份有限公司2024年11月投资者关系活动记录表
神工股份资讯
2024-11-15 17:19:27
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公告日期:2024-11-15


证券代码:688233 证券简称:神工股份

锦州神工半导体股份有限公司投资者关系活动记录表

编号:2024-003

√特定对象调研 □分析师会议

投资者关系 □媒体采访 □业绩说明会

活动类别 □新闻发布会 □路演活动

□现场参观 √一对一沟通

√其他(电话会议)

诺安基金-周小琪 富国基金-孙权

千禾基金-孙柯 富国基金-王帅

民生加银-李君海 兴业基金-刘体劲

泰康资产-段中喆 中庾基金-陆伟成

银华基金-张晏铭 永盈基金-任思儒

参与单位 千禾基金-刘炀 中欧基金-朱啸宇

及人员 长城基金-杨维维 华泰保险-叶文强

长城基金-陈渭文 华宝基金-曹旭辰

长城基金-储雯玉 汇丰晋信-刘昱辰

长城基金-廖瀚博 汇添富基金-陈淳

长城基金-张捷 中邮证券-吴文吉

长城基金-韩林 中邮证券-翟一梦

欣荣拓展-沈喆强 国信证券-张大为

时间 2024 年 11 月 13 日

地点 电话会议、机构会议室

接待人员 董事会秘书常亮先生

投资者关 一、 大直径硅材料业务的增量市场空间

系活动主 大直径硅材料业务是公司创立至今的核心业务,是主要的营业收入和利润来
要内容介 源,在产能和技术两方面都处于全球细分市场领先位置。2024年以来,该业务通
绍 过海外硅零部件制造厂客户,切入了海外市场先进制程芯片的产能扩张和稼动率
提升,间接受益于海外科技巨头在人工智能领域的持续巨额投资,因此业绩有所回暖,未来存量应用的市场空间仍有机会继续扩张。

公司还注意到以下市场增量变化:

1.目前存储芯片的两大主要产品类型——DRAM和NAND Flash——之高端产品
类别,例如HBM和eSSD,为满足人工智能高性能所需,都在沿着垂直堆叠的技术路线发展。为建立信号连接,芯片制造前道工序中深孔刻蚀工艺(TSV, ThroughSilicon Via)的用量相应增加;另外一方面,后道封装工序的先进封装工艺特别是CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)封装工艺中,为建立各类芯片之间的连接,也需要对硅中介层进行深孔刻蚀。因此,定性来看,等离子刻蚀的用量将增加,成为大直径硅材料业务的增量市场需求;

2.随着近年中国本土集成电路制造产能的迅速扩张,特别是以长江存储、长鑫存储为代表的国产存储厂商对新增产能的资本开支和存量产能爬坡,拉动国产等离子刻蚀机台出货和运行,带动大直径硅材料业务的增量市场需求;

3.随着先进制程逻辑芯片电路特征线宽向2nm迈进,前道工艺对等离子刻蚀机腔体内的Particle和杂质污染更加敏感。因此,国内外等离子刻蚀机原厂推出的先进机型,将原有的非硅材质零部件替换为单晶硅或多晶硅材质的需求增加,且对超大直径硅材料提出更高要求,带动大直径硅材料业务的增量市场需求。

目前,海外大直径硅材料市场尚未完全恢复。公司大直径硅材料产能全球领先,具备充分的产量提升空间,有能力满足未来半导体行业景气度提升后产生的下游市场需求。

二、 大直径硅材料业务毛利率

公司大直径硅材料业务的毛利率主要受益于成本端优化。

根据公司于2024年5月……
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