7月30日,2021第三代半导体快充产业峰会在深圳圆满举办,现场近百家快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席,共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。瑞芯微在现场展出了两款全新通用快充协议芯片RK835、RK837及部分已量产的品牌快充产品,备受关注。
- RK835 芯片特性:
• 内部集成的ADC可以连续地检测电压,电流,温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数
• 所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式
• 支持I2C接口和主从模式,内部集成了输出放电功能,支持18到100W输出
• DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置了过流、过压和过热保护 全新通用快充协议芯片RK835&RK837,采用Arm Cortex-M0核心和大容量Flash;具备数字I2C接口,支持丰富的主流快充协议;可支持10万次以上的重复烧录,方便客户根据产品更换协议;具备完善的保护功能,引脚支持过压保护,可快速实现可靠的适配器设计。#瑞芯微 #快充产品 #2021RK十大新芯
• 支持USBType-C和Type-A双接口,支持I2C接口
• 集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS,内部集成快速放电电路
• 内部集成高精度ADC,可实现3-22V以10mV精度输出,使用5m取样电阻,可实现0.1-12A以12mA精度恒流
• DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,芯片还内置了过流、过压和过热保护