瑞芯微全新快充协议芯片，亮相第三代半导体快充产业峰会_瑞芯微(603893)股吧

瑞芯微全新快充协议芯片，亮相第三代半导体快充产业峰会

2021-08-03 09:29:20

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7月30日，2021第三代半导体快充产业峰会在深圳圆满举办，现场近百家快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。瑞芯微在现场展出了两款全新通用快充协议芯片RK835、RK837及部分已量产的品牌快充产品，备受关注。

瑞芯微快充协议芯片RK835及RK837，均支持PD2.0/PD3.0/QC2.0/3.0/4.0/4.0+/ VOOC协议。内部集成Arm Cortex-M0内核，56K Flash实现PD和其他专有协议，可支持10万次以上的重复烧录。其中，RK837可支持恒压恒流。

- RK835 芯片特性：

• 内部集成的ADC可以连续地检测电压，电流，温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数

• 所有的GPIO均可配置成边缘触发中断，DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

• 支持I2C接口和主从模式，内部集成了输出放电功能，支持18到100W输出

• DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，并内置了过流、过压和过热保护

全新通用快充协议芯片RK835&RK837，采用Arm Cortex-M0核心和大容量Flash；具备数字I2C接口，支持丰富的主流快充协议；可支持10万次以上的重复烧录，方便客户根据产品更换协议；具备完善的保护功能，引脚支持过压保护，可快速实现可靠的适配器设计。#瑞芯微 #快充产品 #2021RK十大新芯

- RK837芯片特性：

• 支持USBType-C和Type-A双接口，支持I2C接口

• 集成NMOS驱动，VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS，内部集成快速放电电路

• 内部集成高精度ADC，可实现3-22V以10mV精度输出，使用5m取样电阻，可实现0.1-12A以12mA精度恒流

• DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，芯片还内置了过流、过压和过热保护

瑞芯微RK835及RK837能够快速便捷地与各类电源芯片对接，芯片内部支持完善的保护功能，可实现简单可靠的适配器设计，适用于快充充电器、移动电源等产品类型。目前，两颗通用快充协议芯片均已量产并大规模应用于国内知名品牌手机快充充电器中，性能稳定可靠。

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