江城实验室主要服务国家存储器基地建设，开展集成电路核心技术和未来颠覆性技术的基础研究，围绕新型存储材料器件及机理、三维集成核心关键工艺、新型存储器芯片架构与设计、存储器芯片制造用关键设备及基础材料等方向开展研究，为下一代存储器产业化提供坚实理论基础和务实解决方案。