证券代码：002617 证券简称：露笑科技
露笑科技股份有限公司投资者关系活动记录表

编号：20211203

□特定对象调研 □分析师会议

□媒体采访 □业绩说明会

投资者关系活动

□新闻发布会 □路演活动

类别

 现场参观

电话会议

参与单位名称及 太平基金、华宝基金、上投摩根、中信证券、3W 资本、千合
人员姓名 资本、安信证券、财通证券

时间 2021 年 12 月 03 日

地点 安徽省合肥市长丰县合肥露笑半导体材料有限公司

上市公司接待人

董事会秘书 李陈涛、合肥露笑董事长 程明

员姓名

投资者问答

一、公司产线 11 月全面投产，目前产能情况如何？未来
有无扩产计划？

答：目前公司现有的衬底片年产能为 2.5 万片，后续将根
据市场订单情况继续进行扩产，预计到明年 6 月份之前，公司
投资者关系活动 将年产能扩大到 10 万片。
主要内容介绍

二、公司之前表示在 6 寸碳化硅的长晶领域有独到的技
术支持，想问下目前长晶技术方面有无申请专利？长晶过程的
关键点在哪里？

答：SiC晶体生长经历了三个阶段，即Acheson法（1891
年）、Lely法（1955年）、改进的Lely法（1978年）。Acheson

法主要用来生产磨料，现在仍是生产磨料的主要方法，鳞状单
晶片是副产品。Lely法的应用使SiC晶体生长向前迈进了一步，
但是和Acheson法一样，由于无法有效控制成核，单晶尺寸小，
阻碍了SiC晶体的应用。1978年，前苏联科学家Tairov和

Tsvetkov在前人的基础上，率先使用籽晶生长出SiC单晶，称
为改进的Lely法。这是一个划时代的发明，极大地促进了SiC
投资者关系活动 晶体的生长和应用。西屋科学技术中心的科学家对改进的Lely主要内容介绍 法进行了优化，称之为物理气相输运技术（PVT）。PVT法是目
前生长SiC单晶最优异的方法。

从SiC晶体生长的简单历史回顾看出，由于Tairov和

Tsvetkov两位科学家以论文的形式（Yu. M. Tairov and V. F.
Tsvetkov, Investigation of Growth Process Ingots of

Silicon Carbide Single Crystal, J. Cryst. Growth, 43:
209-212, 1978）报道了他们的研究成果，而没有申请专利，
因此SiC晶体生长技术（这里专指PVT法）是公开的技术，任何
单位和个人都有权使用这种方法生长SiC晶体。

6英寸碳化硅晶体生长的关键在于温场的调控和籽晶的粘
接，这些所谓的“know-how”是晶体生长研究者长期实践的总
结，一般是不申请专利的。目前已公开的 SiC 晶体生长专利主
要侧重于生长设备、晶体生长的某些细节或籽晶处理等方面。
露笑技术团队经过坚持不懈的技术攻关，全面掌握了生长工艺
参数之间的耦合关系，确定了各工艺参数的优值，具备了可重
复、可批量生长碳化硅晶体的设备及技术条件。基于技术保密
的需要，露笑暂未申请相关专利，待时机成熟后公司会加大专
利布局的力度。

三、请问公司提供的衬底产品在全球处于什么水平，可否
用于 SiC 功率器件？

答：公司生产的 6 英寸导电型 4H-SiC 衬底片已通过下游
厂商验证，各项参数达到了 P 级工业应用的国际标准，产品品

质处于第一梯队。公司的碳化硅衬底片既可用于碳化硅肖特基
二极管（SBD），也可以用于金属氧化物半导体场效应管
（MOSFET）器件，能满足绝大多数场景碳化硅功率器件的要求。
四、公司的衬底片应用领域？

答：目前碳化硅 SBD 二极管和 MOSFET 管，可以广泛应用
于新能源汽车、光伏等各个领域。公司的碳化硅衬底片车企和
光伏领域都能应用，目前与下游一些知名厂商在积极接洽中。
五、公司规模化量产是否能顺利进行？

答：目前公司碳化硅衬底片生产工艺稳定，水电气等运行
也一切稳定，规模化量产不存在问题。

附件清单（如有） 无

日期 2021 年 12 月 03 日