欢迎秉承价值投资理念的投资者：国开行基金---成都海威华芯科技有限公司
序号股东（发起人）查看实际控股人 ＞出资比例认缴出资
1四川海特高新技术股份有限公司大股东他参股25家公司 ＞47.88%　＞57500万元
2中国电子科技集团公司第二十九研究所 ＞31.97%　＞38400万元
3国开行发展基金有限公司他参股1000家公司 ＞10.99%　＞13200万元
4石河子市长源科技股权投资合伙企业（有限合伙）公司 ＞8.58%　＞10300万元
5曾勇 ＞0.58%　＞700万元
2018-03-30股东或股份发起人改变姓名或名称变更
国开发展基金有限公司,11.0%; [新增]
四川海特高新技术股份有限公司,47.9%;中国电子科技集团公司第二十九研究所,32.0%; [新增]
国家开发银行12月24日召开会议，传达学习经济工作会议精神。一是助力制造业高质量发展。大力支持科技创新领域发展，继续加大对集成电路产业和5G商用的支持。二是加大力度支持基础设施补短板。加快投融资模式创新和市场化现金流建设，切实发挥有效投资的关键作用。六是服务共建“一带一路”。保质保量落实好“一带一路”2500亿元等值人民币专项贷款，积极支持基础设施等重大项目建设和产能合作，配合办好第二届“一带一路”国际合作高峰论坛。
2018-12-26投资者互动：公司海威华芯主要从事二代、三代化合物半导体集成电路芯片研制服务，为客户提供专业的Foundry（流片）服务，产品面向5G移动通信、新能源、物联网和雷达等市场，公司已于2016年建成国内首条具备自主知识产权的6吋化合物芯片产线，目前处于试生产阶段，我们持续看好化合物芯片产业的发展前景并积极把握相关产业发展带来的发展红利，相关信息公司已经以定期报告/临时公告的方式信息披露媒体公告，公司欢迎看好公司发展前景并秉承价值投资理念的投资者，海威项目的最新情况请您关注后续进展公告，近期资本市场波动较大，请您做好公司基本面研究，祝好，谢谢。

12月26日，全球最大的资产管理集团贝莱德发文表示，中国科技股目前估值具备足够吸引力，当前正是长线投资中国科技股的大好时机。

　　贝莱德认为，科技行业已成为中国规模最大、发展最快的行业，中期投资机遇相当乐观。中国的科技企业并不是简单粗暴地复制美国领先科技企业的模式和产品，而是根据国内用户的独特需求推出量身定制的体验和服务。其中一个关键区别在于中国互联网和科技企业已经跳过了PC网页端内容，直接开发移动端应用和定制服务。整个行业竞争异常激烈，身处其中的企业频繁面临各种挑战，同时行业内部也在不断自我颠覆与革新。

　　具体看，虽然A股中科技股的比重与美股相比还有较大差距，但目前中国上市的科技股(包括海外上市)在整个股票市场中的比重已经超过美国。

　　贝莱德表示，今年中国科技企业的估值有所下降，但2019年的前景会更光明。虽然中国科技股短期至中期还会出现波动，但中国科技行业的根本基础已奠定，更长期的强劲发展可以期待。因此，对于长线投资者来说，目前估值具备足够吸引力，可以说是试水中国科技股的大好时机。

第二代砷化镓微波毫米波军民两用芯片制造技术

技术开发单位成都海威华芯科技有限公司

技术概述第二代砷化镓半导体集成电路芯片具有频率高、速度快、带宽大、抗辐射能力强等优点，产品用途十分广泛，随着智能手机普及，砷化镓半导体芯片，是3G、4G及未来5G通讯的核心芯片，也是物联网产品、电力电子、高效率能源转换及人工智能的关键芯片。

砷化镓0.15～0.25mpHEMT工艺生产的芯片，其对应频率为0-50GHz，涵盖的产品有低噪声放大器、功率放大器、驱动放大器、开关、混频器、滤波器、耦合器、衰减器等上百种具体产品，对通讯能力都有及其重要的提升作用。

技术指标本制造技术能实现0.15～0.25um的GaAspHEMT工艺技术,并具有频率高，功率大，噪声系数小、抗击穿能力强等特点。

技术特点砷化镓0.15～0.25mpHEMT工艺具有线性度好、稳定度高、可靠性好的特点，该制程工艺生产的微波毫米波芯片可工作于0-50GHZ，可实现数据的高速收发。

先进程度国际先进

技术状态试生产、应用开发阶段

适用范围砷化镓0.15～0.25mpHEMT工艺生产的微波毫米波芯片，可工作于0-50GHZ，用于5G移动通信的小型基地台、移动终端及物联网领域，实现数据的高速收发。同时应用于移动通讯、卫星通讯，产品应用十分广泛，由于该制造技术一直受国外抑制，是国家急需的战略性核心能力技术。

获奖情况成都市科技进步二等奖

专利状态公司在砷化镓半导体集成电路芯片领域获得专利达到20余项

成都海威华芯科技有限公司致力于6英寸砷化镓微波毫米波芯片制造技术领域的国产化替代，对外提供GaAs、GaN芯片代工服务，目前已率先完成中国第一个6英寸GaAsIPD集成无源工艺、中国第一个6英寸GaAs0.25umpowerpHEMT工艺、中国第一个6英寸GaN0.25umHEMT工艺、6英寸GaAs2umHBT工艺、6英寸砷化镓EDHEMT工艺、6英寸砷化镓0.15umpHEMT工艺的研发，其技术同步国内先进水平。同时，海威华芯具备2～6吋光电芯片、VCSEL激光器芯片的代工能力。