电子：出口管制政策收紧带来广阔替代空间，国产设备性能突破彰显卓越替代潜能!
主要观点
事件描述
5月23日，日本经济产业省公布外汇法法令修正案，将先进芯片制造设备追加列入出口管理的管制对象。该计划涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查等23个种类的设备，除10-14nm先进制程设备外还包括≤45nm的成熟制程用光刻设备，并将于7月23日正式实行。
分析与判断
美、荷、日相继升级先进半导体制造设备出口管制政策，中国先进制程扩产或受限，但成熟制程或受影响较小。2022年10月美国出台新出口管制政策，禁止用于生产16/14nm以下制程逻辑芯片、128层或以上NAND、18nm以下制程的DRAM的设备、零部件、软件技术等出口。2023年3月，荷兰将光刻机出口管制范围由极紫外扩大至最先进的浸没式深紫外；ASML解读，NXT:1980Di设备（分辨率≤38nm）仍允许出口，成熟制程或不会受到影响。日本新修正的限制政策则更为严格：10-14nm先进制程设备及≤45nm的成熟制程用光刻设备均受限制。
我国半导体设备长期需求不减，且核心设备依赖日本进口，本次修正案有望带来广阔替代空间。从需求角度来看，集微咨询统计，22-25年中国大陆或将新增25座12英寸晶圆厂。同时，20-22年中国大陆半导体设备销售额均居全球第一，年复合增长率约23%。我们认为，长期来看我国半导体产业仍处于高速发展期，晶圆厂数目持续增多，国家战略聚焦，半导体制造设备需求有望维持在高位。从设备进口角度来看，我国半导体设备国产化率虽有较大提升，但仍处于低位。SEMI指出，2022年国内晶圆厂半导体设备国产率为35%，同比+14pct。同时，据集微网数据可知，中国大陆对日本半导体制造设备有较强依赖，2022年中国大陆从日本进口半导体设备的金额约107.4亿美元，占中国大陆半导体设备进口总额比例超30%。
国产设备多数已具有成熟制程替代能力，部分已在先进制程技术上有所突破。北方华创12英寸ICP刻蚀机在客户端实现28nm国产化替代，在14/7nm先进存储器等工艺应用中也发挥着重要作用；公司14nm薄膜沉积设备也已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用。拓荆科技已覆盖PECVD/SACVD/ALD/HDPCVD，可适配28/14nm逻辑芯片等产线。中微公司双反应台刻蚀机在5nm及更先进产线上均实现多次批量销售。盛美上海清洗技术可应用于45nm及以下节点晶圆清洗工艺。万业企业离子注入机可覆盖含28nm的主流成熟制程；同时公司着力研制≤14nm制程的FinFET集成电路离子注入机。
投资建议
维持电子行业“增持”评级，先进半导体制造设备出口管制政策加速收紧，本次管制涉及到的半导体设备的国产厂商有望优先受益，推荐离子注入机龙头万业企业，建议关注其他前道设备厂商：拓荆科技（薄膜沉积）、中微公司（刻蚀&薄膜沉积）、北方华创（刻蚀&薄膜沉积&清洗&氧化）、盛美上海（清洗）、华峰测控（测试）。
风险提示
晶圆厂扩产不及预期，研发进展不及预期，贸易争端影响供应链。
