三安光电底部区域，股价严重低估，不久市值过过千亿，股价30余元。
三安集成电路（一期）位于火炬（翔安）高新技术开发区，不仅是省市重点项目、厦门“双千亿”产业链群组成部分，还属于国家扶持的战略性新兴产业。是中国第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂。
“我们一期从产业链看，生产流程包括外延、芯片和封装三个重要环节，产品主要有微波射频、电力电子、光技术和滤波器四大类，是国内首家具备规模化研发、生产化合物半导体芯片能力的公司。”厦门市三安集成电路有限公司综合管理处处长陈鹏山介绍，一期新建砷化镓和氮化镓外延片生产线，适用于专业通讯微电子器件市场的高速、高功率半导体芯片生产线，以及新布局的光通讯芯片，三安光电将在5G时代“大有作为”。
目前，三安集成电路已拥有70多家客户，正在进行产品验证中，处于小量推广市场阶段。截至今年10月，三安集成电路（一期）累计完成固定资产投资24.1亿元，拥有涵盖GaAs、GaN、SiC芯片及外延的生产线，现有年产能9.6万片/年，达产后可形成36万片/年的产能规模。
三安集成电路进军国际市场，成新兴世界级III-V族技术平台企业
美国加利福尼亚州桑尼维尔, Nov. 27, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- 先进III-V族技术平台的化合物半导体代工厂，三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成）今日宣布，公司的制造管理体系再获数项认证。公司获得IATF16949:2016汽车质量管理体系（QMS）认证、ISO27001:2013信息安全管理标准符合性认证、ISO9001:2015质量管理保证体系、IECQ QC080000:2012有害物质流程管理（HSPM）、ISO140001:2015环境管理体系（EMS）和OHSAS 18001:2007职业健康安全管理体系。
三安集成电路有限公司（三安集成）是中国第一家6吋化合物半导体晶圆代工厂，服务于全球射频、电力电子和光通市场。三安集成提供化合物半导体晶圆制造服务，包括用于射频、毫米波、电力电子和光通信市场的砷化镓(GaAs) HBT、pHEMT、BiHEMT、IPD、滤波器、氮化镓(GaN)功率器件HEMT、碳化硅(SiC)和磷化铟(InP)。在这些工艺技术的各种应用中，有汽车应用，例如用于车与外界的信息交换（V2X）、防撞传感器、混合动力、电动汽车（HEV/EV）充电和驱动器。凭借IATF 1694认证，三安集成的客户能够满足汽车行业严格的质量体系要求。
　
为减少专利（IP）保护的相关问题，获得ISO27001认证将有助于实现信息安全管理体系（ISMS）的最佳实践。该标准为公司及其客户的专有信息和知识产权设定了安全措施实施与监控以及风险管理的指导方针。落实并维护上述安全管理流程，再配合其他的质量及环保体系，将有助于公司增强客户信心，提高客户信任度。
美国加利福尼亚州森尼韦尔, Aug. 23, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- 专门从事化合物半导体制造的代工厂三安集成电路有限公司(三安集成电路)今日宣布，凭借旗下先进的III-V族化合物技术平台进军北美、欧洲和亚太地区市场。该公司拥有丰富的产品阵容，涉及砷化镓HBT、pHEMT、BiHEMT、集成无源元件(IPD)、滤波器、氮化镓功率HEMT、碳化硅和磷化铟DHBT工艺技术，在当今活跃的微电子及光电市场中涵盖的应用范围十分广泛。