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今天咱们来聊聊芯片的技术发展是什么样的，芯片制程中的几纳米又是什么意思呢？

英特尔创始人之一戈登摩尔在1965年提出了摩尔定律，也即单位面积集成电路上可以容纳的晶体管数目会每年翻倍；而在1975年，摩尔将翻倍的时间更新为每两年。差不多同一时间，摩尔在英特尔的同事大卫豪斯指出摩尔所说的晶体管数目每两年翻倍意味着芯片的性能每18个月翻倍。摩尔定律是一个经济学上的经验定律，在过去的几十年间，半导体厂商根据摩尔定律不断研发并应用新的工艺制程。半导体制程从微米级发展到纳米级，摩尔定律是推动其技术发展的主要动力。

1971年发售的全球第一款商用CPU英特尔4004采用10微米pMOS工艺，集成了2300个晶体管；而在技术的不断迭代与进步下，2022年AMD锐龙7000处理器中的CPU核采用台积电5纳米工艺，8核芯粒中集成了66亿个晶体管，真是让人叹为观止！

（风险提示：上述具体企业仅供行业举例使用，不代表任何具体的投资建议，投资需谨慎。）

现在回到芯片制程上来。我们经常会听到一种说法，比如台积电5nm量产，三星3nm量产；这其中的nm代表了什么呢？

在传统意义中，半导体工艺制程指的是MOSFET中栅极的宽度，也就是晶体管中电子在源极和漏极中流动的距离，叫做沟道长度。通俗来讲，南哥在半导体产业链的讲解中把芯片制造比喻成了盖房子，而其中的砖头便是晶体管；制程越先进，沟道宽度越窄，就意味着晶体管的大小越小，那么在一个硅片中就能集成更多的晶体管，也就是一个房子能用到更多的砖头去建设。

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当然了，制程的进步也伴随着技术的突破，比如在65nm时采用新介质替换二氧化硅绝缘层、在22nm时采用立体结构解决平面沟道漏电问题等等。

当前普遍使用的鳍式场效应晶体管（FinFET）结构最早由日立中央研究所于1989年推出，加州大学伯克利分校的胡正明小组在1998年至2004年期间做了大量的关于FinFET的研究，并在2000年正式提出FinFET这个名称。2011年英特尔最先在22nm工艺的Ivy Bridge架构CPU中商用FinFET结构，随后台积电、三星、格芯等代工厂纷纷跟随推广。

由于从平面到立体的工艺技术改变，当前几纳米这个原本具有实际含义的数字就变成了一个虚拟数字，仅根据摩尔定律的规律来命名。以英特尔举例，比如22nm的时候，1平方毫米可以装下1,880万个晶体管，根据摩尔定律，22nm下一个节点应该是14nm/16nm，1平方毫米应该能装下2倍也就是3,750万个晶体管。所以，不管Fin有多宽，只要满足这个条件，就能叫它是14nm工艺。再往后各家开始不统一命名，仅按照摩尔定律的系数也就是0.7倍定义技术进步，分别叫做10nm、7nm、5nm、3nm甚至2nm了。

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更先进的制程意味着更高的集成度、更高的性能，使芯片能够以更快的速度、更低的功耗处理更多的数据并提供更多的功能。总之，制程数字虽然不代表芯片性能的全部，但在芯片制造中具有重要的意义。

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