金刚石是迄今为止世界上导热性能最好的物质材料，金刚石基氮化镓问世

金刚石是迄今为止世界上导热性能最好的物质材料，室温下的导热系数高达2000Wm-1K-1，是碳化硅导热系数的四到五倍。作为衬底材料，金刚石可以以数百纳米的尺寸沉积在GaN信道内，使晶体管设备在工作时能够有效散热。随着金刚石技术的成熟发展，金刚石衬底GaN可以替代常用的行波管和SiC衬底GaN设备，用于军事雷达、电子战系统、蜂巢式基地台、气象卫星和通信卫星等领域。

美国国防高级研究计划局(DARPA)研究发现金刚石衬底GaN可以以更低的信道温度传输功率密度，是SiC衬底GaN射频放大器效率的三倍。金刚石做衬底材料，可将器件的热传导能力提升3～5倍，从而显著减少雷达、电子战装置等国防系统的成本、尺寸、重量和功耗。金刚石基GaN器件可使晶体管功率密度比传统SiC基GaN器件增加3倍，克服了阻碍氮化镓器件发挥潜力的主要障碍。该数据由10125微米金刚石基GaN高电子迁移率晶体管测得，HEMT是组成单片微波集成电路功率放大器的基本单元，是固态射频发射器和有源电子扫描阵列的基础。金刚石基氮化镓高性能器件，包括现已上市的混合和单片微波毫米波(MMIC)功率放大器。