我国自主研发GaN芯片通过认证，国产5G基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片在2018中国国际应用科技交易博览会上展示，截至目前，多款产品已获得中电集团客户认证，并有望于2019年正式推出。
基站PA半导体材料包括LDMOS和GaN两种。LDMOS方案成熟且使用成本低，GaN则是超高通信频段的唯一选择。
目前在基站中，GaN功率放大器芯片的份额大约占到30%左右，但随着5G的建设，预计未来将超过50%以上。而在5G专用基站中，或将达到80%以上的使用率。
氮化镓作为新的材料，是5G时代的最大受益者之一。不止射频电路这一个应用，未来5G全行业上下游都可能采用这个新材料。未来市场巨大。
海特高新（ 002023 ）旗下的海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，规划总投资20亿元加码产业化。
乾照光电（ 300102 ）凭借在砷化镓 和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，投资16亿元加码半导体研发生产项目。