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发表于 2019-12-03 18:23:30 股吧网页版
全球内存产量增长率明年将创近十年新低
来源:中国金融信息网

  集邦咨询旗下半导体产业研究中心DRAMeXchange近日主办“2020存储产业趋势峰会”预测,2020年全球内存产业产量增长率预计达12%,创近十年新低。原因在于各内存大厂对资本支出保守,加上工艺转换趋缓,内存价格也经历了长达一年半下跌,这些因素都使内存厂商想通过产量控制,使明年市场从现在的供过于求局面往供需平衡方向改善。


  集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理郭祚荣表示,从产能与工艺角度来看,明年全球内存投片只有4%的成长,三大主要内存厂明年几乎没有大规模新增产能。明年1X/1Ynm依然是市场主要工艺,1Znm工艺呈现缓步成长。集邦咨询预估,明年内存价格将有机会在上半年止跌反弹,从而改善目前的盈利结构。


  紫光展锐消费电子产品规划部部长钟宝星表示,5G的丰富应用场景对存储提出了更大容量、更加稳定、更快响应的新要求。5G芯引擎的发动,从中心、云端存储维度和边缘、终端存储维度都会带来新变革,为存储产业提供核心动力。5G时代全球性的智能终端升级趋势将带动存储高速增长。


  近年来电竞产业在世界各地快速成长,带动高速度、高容量存储产品的需求。芝奇国际技术行销总监余大年认为,如何持续开发出更高性能产品以满足电竞玩家需求,将会是各大存储厂商如何在电竞市场致胜的关键。


  集邦咨询DRAMeXchange分析师叶茂盛认为,2020年智能手机生产量将与2019年大致持平,其中移动装置存储需求除消费者越换越大预期外,明年受5G手机渗透率提升影响,所需传输速度与容量要求都有提升。UFS 2.1/3.0型存储芯片有望在2020年加速渗透,促使移动装置市场闪存出货增长率达到32%。


  晋华集成副总经理徐征表示,2019年DRAM(动态随机存取存储器)市场供过于求,各大DRAM企业通过降价减产方式降低库存水平,同时三大DRAM企业重新调整产线,加速1Znm工艺制程,带动基础型DRAM规格朝向DDR4迈进。目前基础型DRAM需求量持续提升已是市场共识,中国庞大市场需求是中国DRAM制造业的商机所在;在供给端,随着三大供应商加速基础型DRAM规格迭代,消费型电子市场DDR4及LPDDR4规格的DRAM芯片渗透率将逐年提升。


  近年因为人工智能技术逐渐成熟与智能终端装置普及,服务器需求与日俱增。集邦咨询DRAMeXchange资深分析师刘家豪认为,受数据中心的发展驱动,2019年服务器DRAM使用量占整体DRAM三成以上,预估2025年在5G驱动下,更将上升至接近四成。


  在闪存市场,全球闪存产出量明年增长率约为30%,为近几年来相对低档水平,原因在于闪存大厂除中国长江存储较为积极投资外,其他竞争者对资本支出都较以往保守,导致新增产能有限;加上明年又要转换新制程,良率提升速度也会比之前缓慢。集邦咨询预估,明年闪存价格或将出现新一波上涨。

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