作者：唐宇

在国家政策与资金的大力支持下，我国半导体行业的上市热潮一波接着一波，中芯国际与寒武纪的“登台亮相”，更是激发了市场关注半导体产业的热烈情绪。2020年9月28日国内领先的半导体功率器件设计企业无锡新洁能股份有限公司（下称“新洁能”）正式登陆上交所主板挂牌交易。

主营MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的新洁能成立于2013年1月，2016年9月挂牌新三板，被媒体称为国产分立器件行业的“独角兽”。公司是行业内专业化垂直分工厂商，产品制造与封装测试环节主要外包给代工企业，产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车、充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。

新洁能本次拟公开发行股票不超过2530万股，不低于发行后总股本的25%。公司募集资金投资项目主要包括“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化”、“半导体功率器件封装测试生产线建设”、“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化”和“研发中心建设”等。

分立器件领域国产替代中坚力量

MOSFET、IGBT诞生于上世纪七八十年代，是半导体分立器件中的后起之秀，主要作用为实现电能的处理与变换，其中IGBT作为能源转化与传输的核心器件，更是被称为电力电子装备的CPU。然而，在国内市场二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，但MOSFET、IGBT等由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口。

因此，国内MOSFET、IGBT受制于人的现状急需改变。而新洁能作为国内惟一一家完全基于先进8英寸晶圆片工艺平台、专门从事MOSFET和IGBT研发设计的业内领先公司，正是我国分立器件领域推动国产替代的中坚力量。

实际上，从股东背景、技术、核心供应商等方面来说，新洁能确有这样的实力。招股资料显示，新洁能的控股股东、实际控制人、董事长兼总经理朱袁正本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学计算机与电力工程专业；曾在中国华晶电子集团公司、新加坡微电子研究院、德国西门子松下等公司工作，在半导体行业内拥有长达31年的研究和工作经历，是国内MOSFET等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者，积累了丰富的晶圆硅材料制备经验、集成电路制程工艺经验、研发设计和管理经验。

此外，新洁能股东还包括达晨创投、上海贝岭、国联创投、金浦新投、祥禾涌安、武岳峰等国内知名投资机构与半导体行业龙头企业。值得一提的是，公司第三大股东上海贝岭是国内集成电路行业第一家上市公司、国家规划布局内重点集成电路设计企业，拥有国家级企业技术中心，公司目前集成电路产品业务覆盖五大产品领域。

在技术实力上，新洁能基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，也是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。截至2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发明专利35项、实用新型59项，外观设计3项。

核心供应商方面，新洁能芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购，公司拥有华虹宏力、华润上华、中芯集成等国内少数几家具备MOSFET、IGBT等8英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商；在封装测试环节，公司主要与长电科技、安靠技术、通富微电等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上保证了公司产品的领先性与质量稳定性。

中国半导体功率器件十强企业

多方面的优势与在行业细分领域的辛勤耕耘，为新洁能赢得了行业领先地位、大量优质客户与持续快速提升的公司业绩。

2016年以来，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”，且排名持续上升。与此同时，凭借较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务，新洁能已进入多个下游细分领域，为包括海尔、三星、富士康、中兴、纳恩博、视源股份、宁德时代在内的数十家下游行业内龙头客户供货。业绩方面，2016年至2019年，新洁能业绩增长迅速，公司分别实现营业收入4.22亿元、5.04亿元、7.16亿元和7.73亿元，净利润3,603.85万元、5,189.11万元、14,141.89万元和9,820.95万元。

根据新洁能招股说明书披露内容，公司结合2020年1-6月经营及财务数据，预计2020年1-9月营业收入区间为64,000.00万元至65,500.00万元，同比上涨18.05%至20.82%；预计2020年1-9月归属于母公司所有者的净利润区间为9,200.00万元至9,700.00万元，同比上涨44.82%至52.69%；预计2020年1-9月扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润区间为8,800.00万元至9,300.00万元，较上年同期上涨49.29%至57.77%。

未来，伴随“中国制造2025”、“互联网+”等行动指导意见以及“国家大数据战略”相继组织实施，半导体产业链仍将朝着高自主、高可控的方向发展，这就对于半导体材料提出了更高的要求。作为行业先行者，新洁能研发的第三代半导体材料，与第一代、第二代相比，具有宽的禁带宽度、高的热导率及电子饱和速率等综合优势。在功率半导体下游细分领域需求爆发式增长的带动下，第三代半导体材料应用需求也将稳健增长，给公司未来业绩提供了强有力的保障。

据中国半导体行业协会预测，到2021年分立器件的市场需求将达到3010.6亿元。从中长期来看，国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。

面对国产替代重任，新洁能表示，公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，全力推进高端功率MOSFET、IGBT的研发与产业化，持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，并投入对SiC/GaN宽禁带半导体的研发及产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

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（来源：红刊财经的财富号 2020-09-28 10:35） [点击查看原文]