关注半导体前驱体，打造国内电子材料第一平台

2018-3-29 09:40

近年来，得益于高纯 ALD、CVD 前驱体产品在世界范围内的快速成长，高纯 ALD、CVD 前驱体产品的需求大幅提升，包括硅氧/氮化物前驱体，高、低介电常数前驱体，金属及化合物前驱体等，其中以中国市场的增长最为迅速，呈现向中国转移的趋势，据气体圈子介绍，目前国内最稀缺的高纯ALD\CVD前驱体产品主要包括：HCDS、TEOS、OMCTS、4MS、3MS、DEMS、ATRP、TDMAT 等。

半导体前驱体是半导体薄膜沉积工艺的核心制造材料，高壁垒高增长，应用于半导体生产制造工艺，携有目标元素，呈气态或易挥发液态，具备化学热稳定性，同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质。在包括薄膜、光刻、互连、掺杂技术等的半导体制造过程中，前驱体主要应用于气相沉积（包括物理沉积PVD、化学气相沉积CVD及原子气相沉积ALD），以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。此外，前驱体也可用于半导体外延生长、蚀刻、离子注入掺杂以及清洗等，是半导体制造的核心材料之一。半导体前驱体可分为：TEOS（正硅酸乙酯）、硼磷（B、P）掺杂剂、金属前驱体、高k前驱体、低k前驱体等。TEOS和硼磷掺杂剂主要用于生成ILD（InterLayerDielectric，层间电解质）、IMD（InterMetalDielectric，金属间电解质），其中TEOS主要用于硅酮聚合物的交联剂及二氧化硅薄膜前驱体。高k前驱体用于生成电容及栅极。随下游芯片产业发展，前驱体总体市场规模将保持快速增长。根据数据,全球前驱体销售规模在2014年约7.5亿美元，同比增长28.81%;预计2019年达到约12.0亿美元,CAGR达到10%。

常用的半导体前驱体主要为MO源、电子特气和有机硅/硼及替代物等几类。电子特气具体品种很多，目前高端电子特气市场仍由少数国外企业垄断，但目前全球主要跨国电子气体公司在中国设厂，国内企业布局实际也已开始；有机高k及ALD用前驱体（主要为有机硅/硼、金属及其氧化物）目前对国内企业而言技术壁垒最高，国内尚处于空白阶段。

液化空气集团电子气业务线曾宣布，其应用于半导体制造的前驱体ZyALD已获得中国专利局授予的相关专利，ZyALD（三（二甲胺基）环戊二烯锆）是上述已获专利的系列分子中一种重要的锆前驱体（功能分子）。该分子能够在半导体制造工艺中，实现高温条件下原子层沉积方法（ALD）沉积锆基介电层。全椒南大光电材料有限公司二期计划投资 1亿元在公司现有厂区内建设二期高纯 ALD、CVD 前驱体产品项目。雅克科技24.67亿元并购案，切入前驱体材料领域。美商 Entegris与中国湖北晶星科技股份有限公司签订协议，合作生产包括 TEOS（硅酸四乙酯）在内的高纯度沉积产品，2018年1月10日，韩国MECARO半导体材料有限公司总经理房哲源一行来相城高新区就半导体前驱体材料项目作实地考察。经过实地考察,期待在相城高新区投资设厂并建立国内首家半导体用前驱体生产厂家。2018年4月11日-13日，由气体圈子在江苏无锡举办的第三届国际气体产业高峰论坛将设置半导体前驱体专场，围绕半导体前驱体的技术、种类、应用和市场展开分享。届时将邀请美国、日本、韩国、台湾和国内主要的电子气体和材料企业以及研究院所出席参加。