source:三安半导体
据悉,该项目作为国内首个、世界第三个SiC全产业链整合研发与制造项目,总投资160亿元,规划用地面积约1000亩,主要建设具有自主知识产权,以SiC、GaN等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地,业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节。该项目一期于2020年7月破土动工,2021年6月23日正式投产,并于同年11月量产下线SiC SBD全系列产品。2022年7月,该项目二期工程开工。 产品方面,湖南三安的SiC系列产品主要面向工业级和车规级应用。目前,湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品,已广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货,累计出货量超2亿颗;SiC MOSFET方面,湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16m车规级产品,目前正在数家战略客户进行模块验证;湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1及1200V 32m/75m SiC MOSFET,已在重点客户批量导入。 此外,湖南三安今年4月在第十八届北京国际车展上展示了1200V 8m SiC MOSFET,这款产品是湖南三安目前1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。 合作方面,湖南三安与维谛技术于3月28日宣布达成战略合作伙伴关系,双方将共同推动数据中心、通信网络等领域的创新与发展。基于此,湖南三安SiC业务有望向数据中心、通信等领域加速渗透。集邦化合物半导体Zac整理
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(来源:集邦化合物半导体的财富号 2024-05-10 17:58) [点击查看原文]