普冉半导体取得非易失性存储器芯片专利
金融界
2024-11-16 11:01
金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,普冉半导体(上海)股份有限公司取得一项名为“非易失性存储器芯片”的专利,授权公告号 CN 113220240 B,申请日期为2021年5月。
本文源自:金融界
作者:情报员
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