前言

存储器市场爆发，DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%，首次超越逻辑电路，成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式继续保持垄断地位，合计市占率超过95%，国产厂商开始积极布局，2018年将实现量产，有望逐步改变当前产业格局。DRAM消费产品中，移动终端、服务器和PC依旧占据头三名，合计占比86%，未来将继续拉动DRAM消费增长。

三星领先优势明显，传统技术难以替代。三星于2017年开始量产第二代10nm级8GbDDR4DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的产能，继续维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS兼容问题和器件级变化性，且DRAM的性价比高，技术成熟且具有规模优势，金准人工智能专家预计未来5-10年内难以被替代。

同时，由于DRAM的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展，18/16nm之后，薄膜厚度无法继续缩减，且不适合采用高介电常数材料和电极，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势，3DDRAM在宽松尺寸下能够实现高密度容量，且寄生阻容减少，延时串扰低，未来可能成为DRAM的演进方向。

受益于需求增长拉动，DRAM保持量价齐增态势。随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动，移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减，包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line15生产线，SK海力士的M14生产线，以及美光在广岛的Fab15和Fab16的扩产计划，但由于光刻技术接近瓶颈，良率问题日益突出以及新技术的出现，各厂商工艺进程都有所推迟，金准人工智能专家预计2018年全球DRAM产能增加10%，2018年DRAM依旧保持量价齐增态势。

一、半导体产业格局：价格推升成为半导体领域最大细分市场

1.全球半导体格局：亚太成为全球重心，存储器首超逻辑电路

存储器作为半导体行业的重要分支，在经历了2015和2016年的持续走低后，2017年，全球存储器市场迎来了爆发，增长率达到60%。世界半导体贸易统计协会报告显示，2017年，存储器销售额为历年来新高，超过1200亿美元，占全球半导体市场总值的30.1%，主要原因是DRAM和NANDFlash从2016年下半年起缺货并引发涨价，2017年，DRAM平均售价同比上涨77%，销售总值达720亿美元，同比增长74%；NANDFlash平均售价同比上涨38%，销售总额达498亿美元，同比增长44%；NORFlash为43亿美元。金准人工智能专家分析，三大存储器的价格大幅上涨导致全球存储器总体市场增长58%，存储器也首次超越历年占比最大的逻辑电路，成为全球半导体市场销售额占比最高的分支，在产业中占据极为重要的地位。

2017年半导体产品市场全球地区分布中，亚太及其他地区占比为60.6%，同比增长18.9%；北美地区占比为21.2%，同比增长31.9%；欧洲地区半导体产品市场占比为9.3%，同比增长16.3%；日本半导体产品市场占比为8.9%，同比增长12.6%。亚太地区作为全球最大的半导体消费市场，金准人工智能专家认为主要有两方面原因：一是由于中国产品规模在亚太地区的占比逐年提升，2016年占比更是创下92.4%的历史新高；二是由于中国的产品规模逐年增加，且增长率连续几年都高于亚太及其他地区整体水平，中国市场的良好表现有效拉动了整个亚太地区的增长。

2.DRAM全球市场：市占率第一，三巨头垄断地位难撼动

2.1DRAM继续占据存储器细分市场第一

2017年全球半导体存储市场，DRAM的价格/Gb增长了47%，由于价格大涨，DRAM市场规模到达722亿美元，较2016年的415亿美元增长了74%，市场占有率53%，继续保持半导体存储器领域市占率第一的地位。

2.2DRAM供给侧分析：国内在建产能释放有望逐步改变市场格局

从当前DRAM全球市场份额来看，韩国独占鳌头，市场集中度很高。金准数据显示，2017年三季度，韩国半导体行业两大巨头——三星和SK海力士在全球DRAM市场份额合计达到72.4%，占据全球领先地位。其中，三星以44.5%的市场份额稳居市场第一宝座，SK海力士以27.9%的市场份额紧追其后，美光科技（22.9%）、南亚科技（2.2%）、华邦电子（0.8%）分列其后。

从制程工艺角度来看，DRAM存储器已经步入10nm阶段。据金准人工智能专家了解，目前，三星已大规模采用20nm工艺，并率先量产18nm工艺。SK海力士则以25nm工艺为主，已导入21nm工艺。美光目前以30nm工艺为主，20nm工艺进入良率提升阶段。2017年底，三星已开发出全球最小的动态随机存取记忆体（DRAM）芯片，采用10nm级工艺，继续扩大对竞争对手的技术领先优势，同时将在2018年把多数现有DRAM生产转为10nm级芯片。

金准人工智能专家预测，国内厂商在DRAM领域一直处于空白，但有望于2018年实现突破。目前已形成福建晋华和合肥长鑫两大阵营，其中，福建晋华的是32nm的DRAM利基型产品，主攻消费型电子市场；合肥长鑫的是19nmDRAM，主攻行动式内存产品，并且将在2018年底前实现试产，开通生产线。此外，长江存储和兆易创新也对DRAM进行了布局。

福建晋华集团与台湾联电合作，一期投资370亿元，在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂，2018年建成月产能6万片，年产值12亿美元。规划到2025年四期建成月产能24万片。

合肥长鑫投资494亿元建设12英寸DRAM工厂，预计2019年底将实现达12.5万片的月产能，以生产19nmDRAM产品为主。

长江存储启动了武汉存储器基地建设，总投资240亿美元，计划2018年投产，2020年形成月产能30万片的规模，其中涵盖DRAM。

兆易创新将与合肥市产业投资控股有限公司合作开展12英寸晶圆、19nm工艺存储器的研发项目，包括DRAM内存颗粒，项目预算约180亿元人民币，此次项目建成后将实现月产能2000-3000片。

金准人工智能专家认为，国内厂商由于仍处于起步阶段，存储器的研发能否成功，未来几年将是关键期，研发成功后，良率能否提升到较高水平，成本控制是否能够达到预期，知识产权能否做到有效保护等，仍然有一定的不确定性，从研发成功至量产并形成销售，仍然需要长达几年时间。因此，金准人工智能专家预计国内在建产能是个逐步释放的过程，但随着国内在建产能陆续释放，国家存储器产业的不断成熟，有望逐步改变当前的产业格局，对全球DRAM产业发展起到积极推动的作用。

2.3DRAM分产品对比：移动终端、服务器、PC依旧是三大主力市场

2010-2017年，DRAM各类应用产品中，移动终端的份额持续提升，服务器份额也稳中有升，PC份额大幅下降。2017年DRAM市场份额中，移动终端占据约37%的市场份额，领跑DRAM应用市场；服务器约20%紧随其后；PC约13%位列第三，移动终端、服务器和PC也构成了DRAM三大消费产品，合计占比约70%。

金准人工智能专家预计到2018年，DRAM移动终端和服务器消费份额将继续增长，PC消费将继续下降，到达历史最低点。

3.产业链模式：存储器产业崛起有赖于IDM水平

观察全球存储器产业模式，不同于垂直分工模式，存储器产业基本采用的是IDM模式，采用IDM模式的产值占比存储芯片总产值90%以上。三星、SK海力士、美光等DRAM巨头无一例外都采用IDM模式，都拥有自己的晶圆制造厂与封测厂，产业布局相当完善。IDM模式的优势在于其具有资源的内部整合优势，以及具有较高的利润率。由于IDM模式贯穿半导体生产流程的始终，不存在工艺流程对接问题，新产品从开发到面市的时间较短，且因为覆盖前端的IC设计和末端的品牌营销环节，具有较高的利润率水平。

存储器产业竞争的核心要素在于制造工艺和规模化效应。由于芯片设计相对简单，标准化程度高，导致存储芯片产业极其依赖规模化，同时工艺制程转变快，紧跟摩尔定律。各厂商之间竞争的特点是通过拼制造工艺、拼产能，最终赢得市场，所以生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力，各厂商往往严格把控，台湾地区存储器产业之所以走向没落，没能打造出强大的IDM厂商是一个重要因素。因此，我们认为DRAM产业采用IDM作为主流竞争模式短期内不会改变。

二、存储器分类及DRAM

1.存储器概念、作用及分类

存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取，是具有“记忆”功能的设备。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器。主存储器又称内存储器（简称内存），可以与CPU直接交换数据，特点是速度快，容量小，价格高。

辅助存储器又称外存储器（简称外存），是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据，用来存放当前没有使用的程序和数据，特点是速度慢，容量大，价格低，常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。按照关闭计算机时数据是否丢失，可分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在关闭计算机时数据会丢失，非易失性存储器在关闭计算机时数据不会丢失。

按照存储介质来分，可以分为光学存储器、半导体存储器和磁性存储器。其中，光学存储器非易失，耐用性好，记录密度高；半导体存储器体积小、存取速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易；磁性存储器非易失，存取速度慢。半导体存储器按照功能又可分为只读存储器ROM和随机存取存储器RAM。

1.2DRAM工艺流程

DRAM是随机存储器RAM的一种，也是最为常见的系统内存，DRAM使用电容存储。由于DRAM只能将数据保持很短的时间，当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失，为了保持数据，必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

DRAM工艺制造分为八个步骤，分别是浅槽隔离、阱、栅极、存储单元及周边电路器件、电容、接触孔、金属线和通孔、钝化层及引脚，每个步骤由一步或多步工艺流程制成。

1.3DRAM产品细分

SDRAM（同步动态随机存储器）作为DRAM的一种升级，是通过在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM，已经逐渐成为PC机的标准内存配臵。

SDRAM从发展到现在已经经历了五代，第一代SDRSDRAM为单倍数据传输率，第二代DDRSDRAM为双信道同步动态随机存取内存，第三代DDR2SDRAM为双信道两次同步动态随机存取内存，第四代DDR3SDRAM为双信道三次同步动态随机存取内存，第五代DDR4SDRAM为双信道四次同步动态随机存取内存，每一代的更新都伴随着传输速率的大幅提升。

三、DRAM发展趋势：传统技术难以替代，各厂商技术竞赛

1.存储技术对比

从市场规模来看，当下最主流的存储器是DRAM，NANDFlash，NORFlash，尤其是前两者，占据了所有半导体存储器规模的95%左右。DRAM需要不断的刷新，才能保存数据，主要应用在内存里，而NANDFlash容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，应用市场包括记忆卡、U盘及固态硬盘（SSD）等。

在某些领域，新型存储器已经涌现，从目前的结果看，阻变存储器（RRAM）容量大、速度快（读写时间<10ns）、能耗低，相比于其他新型存储技术，与CMOS工艺兼容，被认为是代替DRAM的一个可能的选择。但是由于其严重的器件级变化性，且DRAM的性价比高，技术成熟且具有规模优势，预计未来5-10年内很难被替代。

2. 3DDRAM技术

由于DRAM的平面微缩正在一步步接近极限并向垂直方向扩展，18/16nm之后，由于薄膜厚度无法继续缩减，以及不适合采用高介电常数材料和电极等原因，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势。

3DDRAM技术体现在芯片层面，而非晶体管层面，即其3D指的是3D封装——采用TSV将多片芯片堆叠在一起，随着电子产品对DRAM容量要求和性能的提升，未来3DDRAM比重将呈上升趋势。

3DDRAM优点：

1）宽松尺寸下实现高密度容量：和3DNAND类似，Z方向的扩展能力使得其对平面微缩的要求降低，从而可以在较大制程下大幅提升单根内存条容量。

2）寄生阻容减少，延时串扰降低：改用3D封装之后，很多芯片之间的连接由水平面上交杂的铜线变成了垂直方向的通孔，互连线长度大大降低，从而极大的改善了后道线间延时和串扰，对芯片性能的提升有很大的帮助。

3.三大厂商积极布局

从现阶段的技术发展而言，韩国的三星电子依然领先于SK海力士、美光等竞争对手，三星除了积极扩大存储器产量，确保市场上的领先地位之外，也积极发展晶圆代工事业，将其视为半导体领域的新成长动力。

3.1三星扩产维持技术优势

2017年12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8GbDDR4DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。第二代10nm级8GbDDR4是全球尺寸最小DRAM，采用先进的专有电路设计技术，比第一代芯片快10%，功耗降低15%。相比第一代10nm级工艺，采用第二代工艺可使产能提高30%，扩大行业领先优势。

三星还将加速其下一代DRAM芯片和系统开发计划，包括应用于企业服务器、移动设备、超级计算机、高性能计算系统和高速显卡的DDR5、HBM3、LPDDR5和GDDR6等产品。此外，三星预计将迅速提高第二代10nm级DRAM产品产量，而且还将生产更多的主流的第一代10nm级DRAM，共同满足全球高端电子系统对DRAM产品日益增长的需求。

三星可能采取的扩产动作，除了应对供给吃紧状况，最重要的是借助提高DRAM产出量，压抑内存价格上涨幅度。虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星着眼的是长期的产业布局与保有其在DRAM市场的领先地位，以及与其他DRAM大厂维持1-2年以上的技术差距，提升新进者进入门槛。此外，明年是中国内存发展的元年，三星透过压低DRAM或是NAND的价格，将能提升国内竞争者的进入门槛，并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。

三星有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线，部分转往生产DRAM，并全数采用18nm制程，加上原有Line17还有部分空间可以扩产，预计三星此举最多将2018年DRAM产出量提升80-100K，也代表三星的DRAM产能可能由2017年底的390K一口气逼近至500K的水平，亦将带动三星2018年bitgrowth由原本预估的18%成长上升至23%。

3.2受惠于市场需求，SK海力士导入新技术和新工艺

2017年全球市场对存储器需求猛涨，特别是服务器领域，全球互联网数据中心迅速增加。受惠于服务器市场的强劲需求和移动产品价格上涨，SK海力士2017年Q4市场形势继续良好，DRAMbitgrowth增长3%（环比），平均销售价格上涨9%，营收约84.5亿美元，同比增长68%，营业利润约41.83亿美元，同比暴涨191%，营业利润率49%，净利润约30.13亿美元，同比增长98%。其中DRAM营收占该季度营收77%，NANDFlash营收占该季度营收22%。

SK海力士将通过在服务器和SSD产品导入新的技术与工艺来满足日益增长的市场需求。未来将扩大1xnmDRAM产能，这一产品已在2017年Q4量产，并应用于PC、移动设备和服务器产品。

3.3美光业绩优于预期，年底步入1xnm阵营

存储器市况优于预期，美光将2018年Q2营收目标自原先的68亿至72亿美元，调高到72亿至73.5亿美元。美光调升展望，意味着DRAM需求持续看好，DRAM价格第一季持续调涨3～5%，MobileDRAM第一季涨幅3%。预计2018年Q2DRAM占整体营收的71%，营收环比增长14%，同比增长76%，出货量环比上升约5%，平均售价环比上升约10%。

健康的市场供需环境，使DRAM产业长期保持增长的动力，金准人工智能专家预计2018年DRAM市场bitgrowth将增长20%，符合行业增长水平。此外，美光将利用先进的技术优势降低成本，加强在市场上的竞争力，预计在2018年底将提供1xnmDRAM产品。

四、DRAM预测：需求大幅拉动，量价齐增态势明显

1.供给端：产能增长有限，摩尔定律放缓将会持续

1.1三巨头垄断全球90%产能，2018产能增速10%

DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元，观察全球DRAM产业三大厂商，三星、SK海力士两大韩系厂商在扩产脚步上是猛踩油门，包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line15生产线，以及SK海力士的M14生产线；同时，美光在广岛的Fab15和Fab16也有DRAM扩产计划，但产能的增加仍主要依靠两大韩系厂商。

全球90%以上的DRAM芯片供给掌握在三星、SK海力士和美光三家企业手中。根据三家公司目前最新的建厂规模，2017年全球每季度芯片产能为1100K左右。根据金准人工智能专家预测，到2018年，三星和SK海力士将会有接近20%左右的产能提升，美光的产能增量为10%，预计全球每季度芯片产能为1200K左右，2018年产能同比增速在10%左右，其中2018年Q4环比增速将会比较明显。

1.2良率问题及新技术出现，产能增速放缓

1994-2014年，DRAM产业的bitgrowth整体呈下降趋势。其中，1994-2003年bitgrowth平均增速为70%左右，2004-2014年bitgrowth平均增速为45%左右，2017年，DRAM的bitgrowth则降到了20%以下，金准人工智能专家预计2018年bitgrowth将继续下滑。主要原因在于，随着工艺尺寸越来越小，DRAM良率无法得到有效控制。以目前最为成熟的193nm浸没式光刻技术来看，它在精确度及成本上达到了一个近乎完美的平衡，但是随着处理图形的尺度不断缩小，线宽减少越来越困难，图形已经变形严重，解决办法是二重曝光，把版图中同一层次较复杂的图形分解成两个层次较简单图形的组合，用两层光罩分两次完成。随着工艺的进一步进化，还需要三重，四重曝光，65nm的工艺往往需要20多层光罩，到了14nm，由于要使用多重曝光，光罩数可能要增加到80，这样繁琐的做法，势必带来巨大的良率问题，进而影响产能释放。

目前193nm光刻技术已经走到尽头，而EUV光刻设备年产能极其有限，这些问题使得DRAM工艺节点突破困难重重，各厂商工艺进度计划也被迫一再推迟。2017年，三星1ynm进度不及预期；SK海力士2016年和2017年工艺进展持续不及预期；美光从2016年开始1xnm制程就开始落后于计划，2017年1ynm继续不及预期，影响到了2018年的扩产增速。同时，卖方主导DRAM市场和新型非易失性存储器技术的出现也都造成了全球范围内DRAM龙头企业技术升级和扩产意愿下降。

1.3DRAM涨价带动盈利提升

DRAM技术瓶颈虽然带来了产能扩张上的困难，但是全球前五大厂商却也因此获得了价格上涨带来的巨大利润。金准人工智能专家以DRAM收入占比较高的SK海力士和美光两家公司作为研究对象，发现其DRAM产品收入占比从2016年Q2以来在持续上升，因此技术瓶颈导致的扩产难题反而让SK海力士和美光的DRAM业务盈利能力大幅提升。

回顾DRAM的价格走势，2012年以后DRAM就已经进入了长期涨价通道。因此，金准人工智能专家判断在没有大的产能提升或者技术突破的前提下，DRAM持续涨价的态势将在未来长期存在。特别是由于2020年5G商用的节点越来越近，DRAM市场极有可能出现2013年4G商用后的快速涨价期。

2.终端结构性增长仍然存在，5G带动需求加速提升

DRAM市场的下游需求方面，由于移动终端、服务器和PC合计份额占比约70%，因此，这三大类应用的需求基本决定了整个DRAM市场的需求。

2.1移动终端：国产手机占据半壁江山，需求持续上升

从2015年开始，手机就进入到每年15亿台的稳定换机周期，2017年全球销量前十大的智能手机中，国产品牌已经占有六席，占有率仍在持续提升，金准人工智能专家预计2018年国产手机占有率将达到53%，移动终端对DRAM的需求具有继续向国产机品牌集中的趋势。

DRAM在手机中的平均存储容量保持在每年10%-20%的增长速度，结合手机市场的增长，DRAM需求将继续增长，预计2018年移动终端的DRAM需求将增长18.7%。

2.2服务器：5G、云计算、IDC发力，增长率第一

服务器出货量继续平稳上升，2016年和2017年的年增长率分别为3.4%和3.7%，预计2018年为2.9%。同时服务器单系统容量未来增长速度将会持续，预计2018年单系统容量将达到184GB，同比增长35.8%。2020年5G商用在即，未来云计算、IDC的发展都需要海量数据存储，金准人工智能专家认为服务器未来无论从系统出货量，还是单系统DRAM容量提升都具有长期的成长驱动力。预计2018年服务器对DRAM需求增长率为26.1%，将成为增速最大的产品类型。

2.3PC：市场整体稳定，未来小幅提升

PC市场仍然保持稳定，我们认为其对DRAM的需求也将保持相对稳定的小幅增长态势，预计2018年PC领域的市场增长率为6.6%。

3.结论：多方需求拉动，步入持续量增涨价周期

2018-2020年，DRAM扩产仍将受困于技术瓶颈和国际大厂的垄断，因此DRAM产品全球bitgrowth将继续徘徊在20%左右的历史低位水平。但是下游终端应用的市场需求将持续温和上升，特别是终端品牌继续向国产品牌集中，造成国产手机对于DRAM产品的需求出现区域性的增加，同时5G、云计算、IDC等将拉动服务器应用大幅增长。我们判断2018-2020年阶段DRAM产品将处于持续性的涨价周期。

可能产生变化的因素：

大陆DRAM产能大部分将会在2019年以后开始量产，如果进程顺利将有可能缓解DRAM供需缺口。

4.DRAM产业链：国产晶圆规模受限，设备厂商势头正劲

按半导体制造流程，可分为硅片制造、晶圆制造、封装测试三个环节，晶圆制造设备占比最高。其中，硅片制造企业全球只有大约10家，其中前5家企业占有98%的市场份额，分别是日本信越、日本胜高、台湾环球晶圆、德国Siltronic、韩国SKSiltronic。国内厂商如重庆超硅，成都超硅，上海新昇，宁夏银和，金瑞泓等，产能规模还十分有限，国内DRAM厂商晶圆依赖进口的形势短期不会改变。

半导体设备行业细分领域众多，大致上可以分为沉积设备、光刻设备、刻蚀设备、材料制备设备、表面处理设备、注入设备等几大块。其中光刻设备成本最高，占比高达39%。

全球来看，美国应用材料公司（AMAT）是半导体设备厂商的龙头，市值600亿美金，除了光刻机以外的所有设备几乎都是第一。而最核心、技术门槛最高光刻设备，目前被荷兰ASML垄断，占据了全球高达80%的市场份额以及全部的高端市场份额。由于高端技术壁垒太强，国内厂商选择从中低端开始切入，目前已具备部分核心设备的制造能力，如光刻机、离子注入机、CMP、ECD等设备。2017年中国半导体设备需求规模约70多亿美元，保持全球占比前三位，金准人工智能专家预计到2018年可能超过110亿美元，位列全球第二，设备增长空间持续走高，随着国家政策支持力度加大，大基金持续投入，未来我们看好如下公司：兆易创新、北方华创、长川科技、长江存储。

4.1兆易创新

行业景气度提升，公司利润翻倍。报告期内，公司实现营业收入20.30亿元，同比增长36.32%；归属于上市公司股东的净利润3.97亿元，同比增长125.26%；归属于上市公司股东的扣非净利润为3.32亿元，同比增长119.93%。

国家政策利好，DRAM。有望率先突破。《中国制造2025》中明确计划2020年中国大陆集成电路产业内需市场自主生产制造率将达40%，2025年将更进一步提高至70%，基于信息安全考虑和巨大的进口替代空间，集成电路产业将是未来10年国家政策重点支持的领域，根据《国家电路产业发展推进纲要》，到2020年，集成电路行业销售收入年均增速超过20%。在DRAM产品上，公司通过与合肥产投的合作，将开展12英寸晶圆、19nm工艺存储器的研发项目，其中就包括有DRAM内存颗粒，项目预算约180亿元人民币，建成后将实现月产能2000-3000片，填补国内DRAM领域空白。

风险提示：行业竞争加剧；新产线建设不及预期。

4.2北方华创

受益全球半导体产能转移，业绩增长显著。公司2017年实现总营收为22.23亿元，同比增长37.01%；归属于上市公司股东的净利润为1.26亿元，同比增长35.21%。分行业来看，电子工艺装备营收14.35亿元，同比增长43.96%，其中半导体设备11.34亿元，同比增长39.47%。

产品规模持续提升，行业龙头地位继续加固。2017年公司持续提升产品技术研发和规模化生产能力，满足集成电路领域快速增长的市场需求，产品订单快速增长，进一步巩固了在泛半导体领域的竞争地位。包括Etch、PVD、单片退火设备、立式炉、清洗机等在内的多项12英寸关键集成电路装备实现了在国内龙头代工企业和领军存储器企业的应用，8英寸设备也全面进驻国内主流代工厂和IDM企业。

半导体产业步入新周期，市场环境欣欣向荣。半导体产业市场方面，2017年以来全球半导体产业进入了由人工智能（AI）和5G等技术驱动的新一轮成长阶段，这些技术为智能汽车、智能城市、智慧医疗、AR/VR等创新性的终端应用构建了起步和发展基础，并拉动了半导体产业的又一轮成长，使半导体产业在今后3-5年内都将处于一个相对稳定的成长阶段。政策方面，自主发展集成电路产业已经上升到国家战略高度，在政策和资金支持、下游市场广阔以及全球半导体制造产能转移的利好背景下，中国半导体产业将迎来难得的的发展机遇。

风险提示：市场竞争加剧；技术更新不及预期。

4.3长川科技

国内客户需求旺盛，经营业绩大幅提升。公司2017年前三季度实现总营收为0.99亿元，同比增长70.13%；归属于上市公司股东的净利润为0.25亿元，同比增长78.76%；归属于上市公司股东的扣非净利润为0.17亿元，同比增长110.26%。

产品全面覆盖国内龙头封测企业，市占率有望进一步提升。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，生产的集成电路测试机和分选机产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业的使用和认可。随着公司持续深入的研发和产品的不断升级，产品性能将进一步提升，产品类型和客户群体将进一步扩充，公司市场占有率将继续提升。

风险提示：行业波动风险；政府补助不及预期。

4.4长江存储

国家资金大力扶持，国产存储量产准备。长江存储一期由国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金和武汉新芯股东湖北省科技投资集团共同出资，在武汉新芯的基础上建立，二期由紫光集团和国家集成电路产业投资基金共同出资。目前芯片生产机台正式进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。

具额投资初见成效，市场订单实现“零”的突破。武汉存储器基地20/18nm生产线建设，总投资240亿美元，计划2018年投产，2020年形成月产能30万片的规模，其中涵盖DRAM。目前32层3DNAND芯片已经获得第一笔订单，总计10776颗，将用于8GBUSD存储卡产品。

风险提示：行业竞争加剧；产线建设不及预期。

总结

存储器市场爆发，DRAM市场前景看好，三星领先优势明显，传统技术难以替代，3DDRAM未来可能成为DRAM的演进方向。受益于需求增长拉动，DRAM保持量价齐增态势。金准人工智能专家建议关注国家政策资金支持带来的投资机会：兆易创新（A股存储器龙头）、北方华创（A股集成电路设备龙头）、长川科技（A股封测设备龙头）。同时，金准人工智能专家也注意到行业竞争加剧，需求增长不达预期。