三安集成电路推出6英寸SiC晶圆代工制程，半导体市场增长迅猛
文章来源： 集微网 发布时间：2018-12-21
日前三安光电子公司厦门三安集成电路宣布推出6英寸SiC晶圆代工制程。商业版本的6英寸SiC晶圆制造技术的全部工艺鉴定试验已完成并加入到三安集成电路的代工服务组合中。三安集成电路是中国第一家6英寸化合物半导体晶圆制造公司，主营业务为开发和提供砷化镓、氮化镓、碳化硅和磷化铟代工服务，公司目前生产的碳化硅晶圆，是用于电力电子中电路设计的最成熟的宽禁带（WBG）半导体。
三安集成电路推出6英寸SiC晶圆代工制程，半导体市场增长迅猛
近年来，随着6英寸SiC晶圆在国际上的大规模投产，绿色节能的SiC半导体产业链正在逐步形成中。目前SiC技术的应用已加速进入商业和工业市场，比如太阳能发电厂、工业马达驱动器、企业服务器和蜂窝基站电源的功率因数校正（PFC）。在电动汽车和混合动力汽车中，SiC被广泛应用于车载充电器、动力传动系统逆变器和DC/DC变流器。
目前，国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等等都已经在旗舰产品系列中广泛使用了SiC MOSFET。国际上，欧洲的350kW超级充电站已经采用了此类模块产品；在新一代新能源车里的双向车载充电器以及高性能电驱动单元，也成为此类器件应用的绝佳场所。目前SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森美半导体、意法半导体、罗姆、东芝和Wolfspeed等。
市场研究机构Yole预测，到2023年，SiC电力半导体器件市场的价值将超过15亿美元，2017年到2023年的复合年增长率将达到31%。三安集成有望满足客户对质量，体积，坡道和可靠性的要求。
三安光电股份有限公司副总经理兼三安集成电路总经理蔡文必表示，凭借其更高的效率、更高的开关频率和更高的温度特性，SiC替代硅解决方案为高速增长的电力电子市场提供了巨大的商机。汽车、大数据、可再生清洁能源和电力公用事业的巨大增长为公司提供了向全球市场提供SiC代工服务的机会。
三安集成的SiC工艺可以为650V、1200V和更高额定肖特基势垒二极管（SBD）提供器件结构，很快还将推出针对900V、1200V和更高额定SBD的SiC MOSFET工艺。