5G与化合物半导体发展前景议题备受关注
有业内人士对记者分析称，随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已积极布局。英飞凌（Infineon）方面预计，未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。
第三代半导体脱颖而出
5G时代，一部手机可能就需要16颗PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大规模天线（Massive MIMO）、滤波器等，这给第三代半导体带来发展机遇。
国家已经在大力扶持第三代半导体产业。去年国务院出台了《“十三五”国家科技创新规划》，明确提出以第三代半导体材料等为核心，抢占先进电子材料技术的制高点。
有市场研究报告显示，2016年全球射频前端市场规模为125亿美元，预计到2022年将达到259亿美元，年复合增长率为12.9%；其中，就滤波器来说，预计到2022年全球市场规模将达到160亿美元。
多家A股公司已布局
“在第三代半导体方面，三安光电将利用安芯基金，在RF射频、光通信、滤波器、电力电子等方面进行布局，目标是建设面向下一代无线通信GaN器件平台。”在本届高峰论坛上，三安光电RF市场总监陈文欣明确指出了公司具体布局方向。
作为光电龙头，三安光电早就大手笔布局第三代半导体。2015年6月，三安光电引入国家集成电路产业投资基金（简称大基金），意在推动以III—V 族化合物半导体为重点的集成电路业务进一步做大做强。此后，公司联合福建省、大基金等共同设立了规模500亿的“福建省安芯产业投资基金合伙企业”（简称安芯基金，首期规模75.1亿元）。
在今年半年报里，三安光电披露，子公司厦门市三安集成电路有限公司（承担第三代半导体业务）已向47家公司提交样品，其中11颗芯片进入微量产，此外还布局了光通讯芯片、滤波器等领域。据悉，三安光电目前在第三代半导体业务上首先聚焦移动终端，产品已实现小规模量产，每月订单近百片wafer（晶圆），预计2018年至2019年将对公司业绩产生贡献。
除三安光电外，扬杰科技、海特高新、国民技术等多家上市公司均已涉足第三代半导体业务。
扬杰科技在近期接受机构调研时表示，其碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。早在2015年7月，扬杰科技即锚定第三代半导体，定增募资不超过10亿元，用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目。公司在半年报中表示，持续推进第三代宽禁带半导体项目的研发及产业化，针对650V/1200V碳化硅JBS产品，开发并改进可与硅线相互兼容的生产工艺，以增强产能结构实时调整的能动性。