[img]https://gbres.dfcfw.com/Files/picture/20180804/6FBABD3EED844D79EB1CAA911561FE55.png,https://gbres.dfcfw.com/Files/picture/20180804/4F318FEBCB99300F147C3437A849B8B1.png,https://gbres.dfcfw.com/Files/picture/20180804/4D836D03BC83C253A99D0029107588BA.png,https://gbres.dfcfw.com/Files/picture/20180804/90C8C54AE011775D7C055772BFD2669C.png[/img]错杀底部生成的背景
从图中的市盈率上可以看到：自2005年以来，市场三轮见底市盈率都会创出新低，而同期股指底部却是在不断提高，导致这种现象的因素一方面是市场股指不断下降，而最为重要的一点是在股指下降的同时市场盈利水平是有所提升的，从而形成一种错杀的现象。市场在前面三轮的见底中，市场呈现的都是市盈率的下降幅度要比股指下降幅度大，而在本次自2015年以来市场却是处于股指的下降幅度要比市盈率下降幅度大的背景。市盈率的高低取决于股价与每股收益，在每股收益的下滑下，市场要保持低PE,就只有股价下降这个法子了，只有当股价下降幅度超过市场盈利下降之时，市场才可能形成错杀底部。

从周末央行恢复外汇风险准备金，可以看出本轮人们币贬值并非是国外迫于压力提振出口的政策行为，反而更加确定了是国内资金流入加速外流所致。今年以来，除美国之外的全球主要发达经济体制造业PMI明显下滑，表明经济扩张动能正在减弱。短期内市场盈利是无法得到改善的，当前在市场盈利增速的加速下滑下，市场的估值并不想各类专家鼓吹的那般有低估的吸引力。

【公司一角（每日截取图文数据分享量化初池的公司，不构成推荐理由）】
300373扬杰科技
投资逻辑轮廓：1、功率半导体产能紧张，吹响涨价集结号；2、产线投产一代储备一代，实现进口替代，从而实现公司的稳健成长；3、扬杰科技战略研发SiC器件，有望引领二次飞跃。

跟踪扬杰科技目前几何？
策略帮先前在2017年10月26日公司一角中点评扬杰科技，今日我们将再度对公司展开追踪，分析公司目前几何？
自策略帮10月26日点评以来扬杰科技股价稳步上行，截止目前上涨幅度达到16.06%，股价的稳步上行得益于公司产线投产一代储备一代，从而实现公司的稳健成长。
扬杰科技质地坚实，功率半导体领先地位
扬杰科技成立于2006年，完成贸易商到转型，于2014年在深交所上市。公司集研发、生产、销售于一体，专注芯片、二极管、整流桥、电力电子模块等半导体功率器件领域。公司产品应用领域覆盖消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等。近几年来，紧跟市场的趋势和要求，先后研发旁路二极管、配套 LED照明的迷你整流桥、配套风力发电的三向整流桥等一系列新产品，成为产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。
扬杰科技作为分立器件龙头企业，原先就处于行业领先地位，拥有优秀的营销渠道，在MCC双品牌战略下海内外市场齐头并进。在功率元器件需求火爆，供不应求的背景下，海外业务将会快速增长，公司再上一个新台阶。
功率半导体几乎用于所有的电子制造业，包括计算机领域、网络通信、消费电子、工业控制等传统电子产业。此外，随着全球节能环保意识以及新技术的发展，新能源汽车、光伏发电、LED照明灯领域逐渐成为功率半导体的重要需求市场。除了保证这些设备的正常运行以外，功率半导体还能起到有效的节能作用。
多个细分领域坐稳龙头地位
公司半导体功率器件（二极管、整流器、MOSFETS等）占公司总营收的80%以上，其中二极管占公司总营收的一半以上，分立器件芯片（FRD芯片、汽车电子芯片等）约占15%左右。
公司近年来先后研发的旁路二极管、配套LED照明的迷你整流桥、配套风力发电的三向整流桥等一系列新产品不仅填补了国内空白，而且有效的替代了同类进口产品，在市场上取得了较高的占有率。公司目前拥有月产60万片的PHOTO GLASS的高端GPP芯片生产线，在细分行业中亚洲第一；拥有国际上最先进的光伏旁路二极管生产线，光伏二极管产品取代德国进口，2017年产能约占全球份额的30%，为全球第一；汽车电子芯片产品指标达到国际先进水平，成功填补国内汽车发电机芯片市场空白；整流桥产品的质量和销量在国内同行中处于领先地位。
在内生增长方面，坚定不移在功率半导体领域深耕，沿着建设硅基4寸、6寸、8寸晶圆工厂和对应的中高端二极管、MOSFET、IGBT封装工厂路径，步步为营，有序推进，产线投产一代储备一代，从而实现公司的稳健成长。
低端MOSFET技术是高端MOSFET和IGBT的基础，公司成功掌握现阶段中低压MOSFET最新主流技术SGTMOS，将为公司开拓同步整流电路及高频电路等高端市场奠定坚实基础。公司于2018年3月控股一条位于宜兴的6寸晶圆线，该生产线目前已能够小批量生产IGBT芯片。公司正在积极规划8寸线，储备8寸晶圆、IGBT技术人才。未来公司将形成覆盖二极管及整流桥、MOSFET和IGBT的各品类功率器件芯片的生产能力。
图一：

功率半导体产能紧张，吹响涨价集结号
从供给端来看，功率半导体这个产业新产能并没有明显增加，而欧美在不断退出中低端市场。由于汽车、工业等产线毛利率较高，欧美功率半导体厂商将产能更多分配给汽车、工业等产线，导致中低端产品产能不足。
晶圆代工供需紧张现已引发厂商上调价格，如联电、茂矽、华虹等已开始调涨价格。而上游产业调涨势必推高下游企业的成本，目前以MOSFET为代表的功率半导体产品纷纷延长交期，封测巨头长电科技也已数次发出涨价通知。预计此轮涨价潮将蔓延至整个功率半导体行业。
尽管大陆、台湾地区厂商已在二极管、晶闸管、低压MOSFET等低端功率器件领域已开始进口替代，但国外厂商占据着大部分市场份额，比如 2016 年功率二极管一线厂商达尔科技58%的收入来自中国，功率器件龙头NXP有41%的收入来自中国，英飞凌24%的收入来自中国。而在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，国内主要依赖进口，基本被国外欧美日企业垄断。目前以扬杰科技、捷捷微电为代表的功率半导体龙头企业市场占 有率不到1%，进口替代的空间巨大。
公司坚定不移在功率半导体领域，步步为营有序推进，沿着硅基4寸线、6寸线、8寸线晶圆厂和对应的中高端二极体、MOSFET、IGBT封装厂路径，并行碳化硅晶圆和封装产线建设。
目前公司4寸线、6寸线扩产项目如期进行，产能稳步提升。在自行建设6寸线的基础上积极外延并购，今年3月在宜兴成功并购了一条主做MOSFET、IGBT的6寸线，此外公司也积极规划8寸线建设，储备8寸线晶圆、IGB技术人才。
图二：

第三代半导体方兴未艾，SiC 功率器件优势突出
从国际竞争角度看，第三代半导体材料具有极强的应用战略性和前瞻性。随着技术的逐步成熟和应用市场的启动，第三代半导体材料及器件的突破将引发科技变革， 并重塑国际半导体产业格局。据了解，美、日、欧、韩等发达国家已将第三代半导体材料列入国家计划，通过协同组织，共同投入，实现第三代半导体技术的加速进步。
目前碳化硅功率器件尚未完全产业化，2014年全球碳化硅（SiC）功率半导体市场仅为1.2亿美元。随着混合动力车、电动车、电源供应装臵与太阳能电力转换器等市场需求不断上扬，预估全球碳化硅（SiC）功率半体市场将由2015年的2.1亿美元，先上扬为2020年的10亿美元以上，然后于2025年增长至37亿美元。
从竞争格局角度看，国际SiC器件市场，目前很多厂商产品尚未产业化，2014年科锐和英飞凌两家巨头占据了70%的市场份额。国内厂商参与碳化硅市场的还不多，主要为高校及研究机构包括西安电子科技大学、中电13所、55所、南车等。
对比硅基功率器件，SiC功率器件具有三个最重要的特性：高压特性、高频特性、高温特性。未来随着技术成熟、成本下降和产业化推广，有望在多领域取代硅功率器件。2014 年全球碳化硅（SiC）功率器件的市场规模为1.2亿美元，相较硅功率器件的150亿美元市场，碳化硅（SiC）功率器件市场还很小，还不到硅（Si）功 率器件的1%。未来当SiC的成本能降到硅的2-3 倍的时候，应该会对Si功率器件形成大规模替代效应。
扬杰科技战略研发SiC器件，有望引领“二次飞跃”。公司通过在半导体行业多年的经营，在技术研发、客户资源及产品质量等方面形成 了较强的竞争优势，在半导体器件行业的诸多细分领域已经具有领先的市场地位和较高的市场占有率。但公司的产品主要集中在第一代半导体产品，为保持可持续发展，公司前瞻性布局碳化硅，将竞争优势延伸至第三代半导体材料。公司较早布局碳化硅领域且布局完善，若项目进展顺利，未来碳化硅时代公司业绩有望实现“二 次飞跃”。