公告日期：2020-11-27

证券代码：300131 证券简称：英唐智控 公告编号：2020-143
深圳市英唐智能控制股份有限公司

关于公司签订《合作协议书》的公告

本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有 虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

特别提示：

1、本协议仅为初步意向协议，不涉及具体金额，后续双方能否就本协议涉及的合作事项具体内容和方式签署正式协议并推行实施尚存在不确定性，本次协议的签订也不会对公司2020 年财务状况、经营成果造成较大影响。公司将根据本合作协议后续进展情况，按照有关规定及时履行信息披露义务，请广大投资者注意投资风险。

2、本协议所涉及的事项不构成关联交易，也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。本次签署框架协议事项不涉及具体金额，无需提交公司董事会、股东大会审议批准。

一、合作协议的基本情况

（一）协议签订的基本情况

深圳市英唐智能控制股份有限公司（以下简称“公司”、“英唐智控”或“甲
方”）于 2020 年 11 月 27 日与中天弘宇集成电路有限责任公司（以下简称“中
天弘宇”或“乙方”）、中宇天智集成电路（上海）有限公司（以下简称“中宇天智”或“丙方”）签署了《合作协议书》（以下简称“本协议”）。双方就拟后续在芯片相关领域的业务开展达成合作意向，建立战略合作伙伴关系。

（二）协议签订的主要目的和背景

公司拥有丰富的市场资源与系统的销售网络,现正在逐步转型为半导体 IDM
企业，专注行业细分领域，模拟电路及模拟逻辑混合芯片的设计研发及制造。公司子公司日本英唐微技术有限公司拥有一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队，人数超过 130 多人，平均从业经验超过 12 年，在模拟电路设计领域具有深厚的技术积累。

传统 NOR 闪存拥有读取速度快、芯片内可执行代码等优势，但传统结构的
NOR 闪存无法突破 90nm 栅极长度的技术瓶颈，导致 NOR 闪存的记忆单元面积无
法降低到 10F2以下，使其芯片成本居高不下，其应用场景往往被 DRAM+NAND 的组合模式所替代，中天弘宇的研发团队在经过十多年的持续研究，完成了对传统NOR 闪存机理和结构创新，其拥有自主知识产权的新型闪存创新技术、发明及专利成果，已被中国电子学会组办的专家委员会鉴定为：在不改变现有标准 CMOS工艺的情况下突破闪存的缩微技术瓶颈，“在非易失存储领域属国际首创技术”。并且其拥有自主知识产权的独立式存储系列产品性能价格比优于市场上同类产品。

中宇天智在传统嵌入式闪存基础上，创新了工作机理和器件结构，拥有自主知识产权的嵌入式闪存 IP，在全球嵌入式闪存尚未突破 28nm 的背景下，中宇天智的嵌入式闪存具备理论上可微缩到 5nm 的工艺制程的条件，并且性能价格比优于市场上同类 IP。同属世界首创技术。

三方的合作将以乙方、丙方的新型闪存技术在电源管理芯片的实际应用为突破口，该应用已在全球领先的 90nmBCD(BiCMOS/CMOS)工艺平台上得到了验证，验证结果突破了目前市场上电源管理芯片 130-180nm 的主流工艺制程水平，90nmBCD 工艺在电源管理芯片的应用属于全球首创，拥有明显的能耗和成本优势，具有良好的产业化前景。根据赛迪顾问统计数据，2012-2018 年，国内电源管理
芯片市场规模从 430.68 亿元增长至 681.53 亿元，年复合增速达 7.95%。根据前
瞻产业研究院的统计和预测，全球电源管理芯片市场规模2018年为250亿美元，
预计到 2026 年全球市场规模将达到 565 亿美元，2018-2026 期间年复合增长率
(CAGR)为 10.69%，其中以中国大陆为主的亚太地区是未来最大增长区域市场。
甲、乙、丙的优势资源可以实现良好的结合互补，加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。因此三方基于良好的信任，从长远发展战略上的考虑，决定共同携手，在战略、资本及业务三个层面开展全面合作。三方均以优秀的企业理念与专业性，本着“互惠互利、稳定恒久、高效优质”的合作精神，结成深度的战略合作伙伴关系。

（三）协议对方的基本情况

1、公司名称：中天弘宇集成电路有限责任公司

统一社会信用代码：91310115MA1K45K34H

法定代表人：张佳


注册资本：7,241.3793 万元人民币

成立时间：2018 年 7 月 26 日

地址：中国(上海)自由贸易试验区盛夏路 61 弄张润大厦 1 号 2 层 201、202……
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