我国自主研发GaN芯片通过认证,国产5G基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片在20
大博财富2019-02-11 17:12:29
我国自主研发GaN芯片通过认证,国产5G基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片在2018中国国际应用科技交易博览会上展示,截至目前,多款产品已获得中电集团客户认证,并有望于2019年正式推出。
基站PA半导体材料包括LDMOS和GaN两种。LDMOS方案成熟且使用成本低,GaN则是超高通信频段的唯一选择。
目前在基站中,GaN功率放大器芯片的份额大约占到30%左右,但随着5G的建设,预计未来将超过50%以上。而在5G专用基站中,或将达到80%以上的使用率。
氮化镓作为新的材料,是5G时代的最大受益者之一。不止射频电路这一个应用,未来5G全行业上下游都可能采用这个新材料。未来市场巨大。
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