比亚迪推出新一代电动车芯片技术

2018-12-14 11:15:00来源：央广网

　　央广网北京12月14日消息（记者 王梦妍）近日，比亚迪发布了其自主研发的全新车规级产品IGBT4.0，并宣布已投入巨资布局半导体材料SiC（碳化硅），拟于明年推出搭载SiC电控的电动车。

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)属于汽车功率半导体的一种，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的关键技术。一直以来，IGBT因设计门槛高、技术难、投资大，被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。

　　近年来，随着新能源汽车产业的蓬勃兴起，IGBT成为了新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，它直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动车的　“双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。

　　此前，中国IGBT市场一直被国际巨头垄断，90%的份额掌握在英飞凌、三菱等海外巨头手中。“一芯难求”成为制约国内新能源汽车发展的主要瓶颈之一。

　　比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚介绍，相比当前市场主流产品，比亚迪IGBT4.0在电动车电流输出能力上高出15%；而其综合损耗，在同等工况下则降低约20%；温度循环寿命更是提升10倍以上。以比亚迪全新一代唐为例，仅综合损耗降低20%这一项，便意味着其百公里电耗将降低约3%。

　　“电池电芯和IGBT是比亚迪未来发展的核心技术，中国半导体需要快马加鞭追上世界的潮流。目前全球格局来讲，我们只能说迎头赶上。”陈刚表示，采用自主研发IGBT功率器件，意味着在这项关键技术和元件上面，比亚迪拥有了自主可控的能力，打破了国外企业的制约。

　　陈刚还表示，与工业级IGBT相比，IGBT在电动汽车领域的应用则面临更多的挑战。一方面，汽车的大众消费属性，对IGBT的寿命要求比较高（设计寿命在20年以上），需要满足使用寿命内数十万次甚至百万次的功率循环要求。另一方面，汽车面临着更为复杂的适用工况，需频繁启停、爬坡涉水、经历不同路况和环境温度等，高温、高湿、高振动对IGBT是极为严苛的考验，对装配体积和散热效率的要求都非常严格。

　　据了解，比亚迪是国内较早开始布局IGBT产业的企业之一。2008年比亚迪收购了宁波中纬晶圆厂，开始IGBT的研发和生产。2009年至2018年，比亚迪自主研发的IGBT1.0、IGBT2.5、IGBT4.0技术陆续推出，并实现了批量装车。

　　比亚迪表示，公司已投入大量资金布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控。

　　有产业研究报告指出，当前IGBT技术革新正在减缓，在第六代IGBT开发出来以后，IGBT产品所具有的优势已经几乎被开发殆尽，在技术上领先的国际厂商技术创新的速度将会有所减缓，而国内厂商则迎来宝贵的追赶时间。但另一方面，目前国际主要的IGBT厂商采用的均为国际整合元件模式，这类企业注重技术积累，具有领先优势的企业会不断提高技术门槛，加大后来者追赶的难度。