量产自研芯片，比亚迪前途光明！　

2018年12月13日 12:36:00
来源：36氪

近日，比亚迪IGBT电动中国芯核心技术解析会在宁波举行，会上，比亚迪展示了其自主研发的全新车规级产品IGBT4.0，并宣布已投入巨资布局半导体材料SiC（碳化硅），拟于明年推出搭载SiC电控的电动车。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)属于汽车功率半导体的一种，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的关键技术。一直以来，IGBT因设计门槛高、技术难、投资大，被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。

此前，中国IGBT市场一直被国际巨头垄断，90%的份额掌握在英飞凌、三菱等海外巨头手中。“一芯难求”成为制约国内新能源汽车发展的主要瓶颈之一。

2005年，比亚迪组建自身研发团队，投入重金布局IGBT产业。2009年9月，比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定。此外，“比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节的技术，本次推出的IGBT4.0在损耗和温控能力两大关键指标上均取得突破。”

比亚迪IGBT4.0晶圆

发布会上，比亚迪还宣布已投入巨资布局半导体材料SiC（碳化硅），并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链。

比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚表示，“虽然在未来较长一段时间内，IGBT仍将供不应求。但比亚迪也已预见到，随着电动车性能不断地提升，对功率半导体组件提出了更高的要求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限。”

比亚迪公布了其研发的SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），表示该技术则有望在比亚迪2019年推出的电动汽车上搭载，并拟于2023年实现旗下所有电动车SiC对IGBT的全面替代。

比亚迪SiC晶圆

自主化与产业化是未来IGBT领域的发展方向。

据来自中信建投的数据显示，2017年，中国国内的IGBT市场规模约121亿元（含车规级及工业级），约占全球总需求的50%。但我国IGBT起步较晚，国内市场份额主要被国际巨头垄断，国产化率只有11%，进口依赖程度较高，国产替代空间巨大。

此外，根据世界三大电子元器件分销商之一富昌电子(Future Electronics LTD)的统计，2018 年，车规级IGBT模块的交货周期最长已经达到52周(IGBT的交货周期正常情况下为8-12周)。而2018-2022年，全球电动车年复合增长率达30%，但同期车规级IGBT市场的年复合增长率仅为15.7%。

在新能源汽车增速于车规级IGBT增速不匹配、IGBT供货日趋紧张的情况下，提高产能是比亚迪深耕IGBT领域的下一关键点。

据悉，比亚迪在该领域已投入超亿元进行扩产，到今年年底，比亚迪宁波IGBT工厂的产能将达到月产5万片晶圆。