氮化硼新型半导体材料 仅一个分子厚度
俄国立研究型技术大学（NUST MISIS）莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。
氮化硼新型半导体材料 仅一个分子厚度，半导体是现代电子学的基础，目前世界领先国家正展开半导体微型化竞赛。新技术可用于制造“块头”仅为现有处理器千分之一的纳米处理器，新处理器更省电，从而使电池微型化。如此一来，极轻的心脏起搏器、便宜的VR眼镜、耳环型手机等大批“看不见”的电子产品也将应运而生。