在新的研究中，中国北京大学和香港理工大学的研究人员开发出一种新技术，能将这一过程从每秒0.4微米加速到每秒60微米，速度提升150倍。而其中的诀窍，就是在参与反应的铜箔上直接加入了少许氧气。
研究人员表示，氧化物基板会在化学气相沉积过程中高达800摄氏度的高温中释放出氧气。氧气的连续供应提高了石墨烯的生长速率。他们通过电子能谱分析证实了这一点，但测量表明，氧气虽然被释放，然而总量很小。研究人员解释说，这可能与氧化物基板与铜箔之间非常狭小的空间产生了俘获效应，从而提高了氧气的利用效率有关。在实验中，研究人员能在短短5秒的时间内生产出0.3毫米的单晶石墨烯。
研究人员称，对石墨烯产业而言，该研究意义重大。通过该技术石墨烯的生产将能采用效率更高的卷对卷制程。而产量的增加和成本的下降，会进一步扩大石墨烯的使用范围，刺激其需求量的增长。